士兰微：2023 年上半年，公司 IGBT营收达 5.9 亿元，较去年同期增长 300%以上

近期士兰微电子发布半年度报告。

报告指出，2023 年上半年，公司 IGBT（包括 IGBT 器件和 PIM 模块）的营业收入已达到 5.9 亿元，较去年同期增长 300%以上。基于公司自主研发的 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在比亚迪、吉利、零跑、汇川等国内外多家客户实现批量供货；公司用于汽车的 IGBT 器件（单管）、MOSFET 器件（单管）已实现大批量出货，公司用于光伏的 IGBT 器件（单管）、逆变控制模块、SiC MOS 器件也实现批量出货。

Silan IGBT 图源官微

公司正在加快汽车级 IGBT 芯片、SiC-MOSFET 芯片和汽车级功率模块（PIM）产能的建设，预计今后公司 IGBT 器件、PIM 模块、SiC-MOS 器件等产品的营业收入将快速成长。 

士兰车规级PIM模块 SGM820PB8B3TFM 图源官微

2023 年上半年，公司加快推进“士兰明镓 SiC 功率器件芯片生产线”项目的建设。截至目前， 士兰明镓已形成月产 3,000 片 6 英寸 SiC 芯片的生产能力，预计 2023 年年底将形成月产 6,000 片 6 英寸 SiC 芯片（SiC MOSFET 和 SiC SBD）的生产能力。 

公司已完成第二代平面栅 SiC-MOSFET 技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。基于公司自主研发的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已通过部分客户测试，争取在今年三季度实现批量生产和交付。 

2023 年上半年，士兰集昕公司稳步推进 “年产 36 万片 12 英寸芯片生产线项目”建设，已有部分设备到厂并投入生产，增强了公司 12 吋芯片制造能力。

上半年，公司重要参股公司士兰集科公司加大产品结构调整的力度，加快车规级 IGBT 芯片、超结 MOSFET、高性能低压分离栅 MOSFET 芯片的产出和上量。截至 6 月末，士兰集科公司已具备月产 2 万片 IGBT 芯片的生产能力。

2023 年上半年，成都士兰公司加快推进“汽车半导体封装项目（一期）”项目建设，成都士兰二期厂房已部分投入生产。截至目前，成都士兰公司已具备月产 17 万只汽车级功率模块的封装 能力。下半年，成都士兰公司将增加生产设备投入，进一步扩大汽车级和工业级功率模块的封装能力。