3月30日，日本显示器公司 (JDI) 宣布在其位于日本茂原的 G6 工厂成功开发出世界上第一个背板技术，从根本上改善传统氧化物半导体薄膜晶体管 (OS-TFT) 的性能，并将立即开始将该新技术商业化。
JDI 的新 OS-TFT 技术可生成高迁移率氧化物半导体 (HMO)，其场效应迁移率是传统 OS-TFT 2 倍，而超高迁移率氧化物半导体 (UHMO)，其场效应迁移率是传统 OS-TFT 的 4 倍。UHMO在JDI G6量产线上的场效应迁移率为52cm2/Vs，超高水平。 也就是说，HMO 可实现与 LTPS 相同水平的导通电流，同时保持低截止漏电流。
晶体管 I-V 特性比较
HMO 的另一个优势是，传统的高迁移率 AMOLED 背板需要 LTPS 技术，这将玻璃基板尺寸限制在 G6，但 HMO 可用于 G8 或更大的生产线。
JDI 相信 HMO 将大幅加速显示技术创新，并有助于显着提高 OLED 和 LCD 显示性能，包括：
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更低的功耗；
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对于元界 VR/AR 显示，更高的分辨率和更高的刷新率，为元界用户提供更深层次的沉浸感和现实融合；
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对于透明显示器，更高的透明度和图像质量以及更大的显示器。
HMO 属性
传统的 OS-TFT 存在偏置温度应力 (BTS) 的问题，当试图获得高场效应迁移率时，这会导致可靠性差和图像劣化。
场效应迁移率比较
然而，通过利用 JDI 多年来开发的制造工艺专有技术，JDI 凭借 HMO 克服了这些挑战，这是一种具有卓越特性的全新突破性 OS-TFT。
偏置温度应力变化特性比较
HMO同时实现了高场效应迁移率和稳定的BTS，同时实现了OS-TFT的低截止漏电流和LTPS的图像驱动稳定性。HMO 使用出光兴产株式会社开发的结晶氧化物材料。
JDI 已经在与多个客户进行 HMO 部署讨论，并计划在 2024 年开始量产。
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