2月24日,中国电子科技集团公司第二研究所(以下简称“中国电科二所”)传来喜讯,碳化硅芯片生产成功!

中电科二所碳化硅芯片研制成功
图源自山西经济网
 
碳化硅具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优点,可有效突破传统硅基材料的物理极限,广泛应用于新能源汽车及其充电桩、大数据中心、轨道牵引、高压电网、新能源逆变等领域,是我国重点发展的战略性先进半导体,对实现碳达峰碳中和具有重要的战略意义。
2021年9月,中国电科二所接到6英寸碳化硅芯片整线系统集成研发任务,该项目要求四个月内完成整线设备评估、选型、采购、安装、调试,并流出第一片芯片。
最终在配套设备到位的30日内,完成了单机设备调试、碳化硅SBD整线工艺调试并成功产出山西省第一片碳化硅芯片,研制速度创造了国内第一!
中电科二所碳化硅芯片研制成功
中国电科二所工作人员表示,接下来,他们将进一步优化设计和工艺流程,研制系列化碳化硅SBD芯片和碳化硅MOSFET芯片,提升性能指标、提高良品率,实现规模化生产。

中电科二所碳化硅芯片研制成功

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原文始发于微信公众号(艾邦陶瓷展):中电科二所碳化硅芯片研制成功

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作者 gan, lanjie