新品发布——6H002D120T1P
在电动汽车中，主逆变器起着举足轻重的作用，是各大车企新能源车型平台的核心技术。中恒微的“Drive Z3”产品系列，近日再添一员大将——采用全SiC 技术的三相全桥拓扑结构的车规级功率模块—Drive Z3-SiC_6H002D120T1P。
这是一款具有1200 V阻断电压、导通电阻仅2mΩ，且适用于电动汽车牵引逆变器的纯SiC全桥模块。该功率模块采用车规级碳化硅沟槽栅MOSFET技术。与平面结构技术相比，沟槽栅结构可实现更高的单元密度，可以在较低的栅极氧化物场强下工作，适用于高功率密度和高性能的应用场景。
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模块图片
DriveZ3-SiC 内部图
DriveZ3 模型图
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产品特点与应用
- 新型半导体材料——SiC
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低导通电阻，低电感设计
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高水平的宇宙射线和栅极氧化物鲁棒性
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采用车规级碳化硅沟槽栅MOSFET技术
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Pin-Fin水冷基板，高可靠性
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采用Si3N4-AMB覆铜陶瓷基板，大幅降低热阻
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极低开关损耗，适合高频应用
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实现工作结温范围-40 ~ 175℃
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标准封装尺寸，可与市场上同类模块兼容
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采用环保物料，符合RoHS标准
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汽车应用
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混合动力汽车(H)EV
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电机驱动器
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军用、商业、农业车辆
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关于硅基 Drive Z3
Drive Z3是一款专门针对混动和纯电动车设计的紧凑型支持直接水冷功率模块，功率范围从100到175千瓦。此芯片采用汽车级微沟槽栅场终止型技术，其电流密度高、且拥有短路能力，并提高了电压等级，高可靠性。下表为中恒微现有批量产品。
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Drive Z3-SiC 模块特色
1) 功率端子采用超声波焊接工艺，减小模块杂散电感；采用Pin-Fin水冷铜基板，大大增强过流及散热能力
2) 采用Si3N4-AMB覆铜陶瓷基板，大幅降低热阻，增强散热性能，使得芯片使用寿命延长，大大的增加了功率模块的可靠性。
同样Drive Z3平台1200V硅基模块，使逆变器设计能够到180 kW。使用全SiC模块可实现高达250 kW的功率，同时提高逆变器的效率，实现更高续航里程、更小电池尺寸以及降低系统成本。
相比于硅IGBT，SiC器件的芯片面积更小，产生的栅极电荷和电容也更小，加上“零”尾电流和更高性能的体二极管，可以实现更高的开关速度，降低开关损耗，从而实现更高的开关频率。
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原文始发于微信公众号（中恒微半导体）：新品发布——全SiC汽车模块6H002D120T1P
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