SK海力士于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。

近日,SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)1 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示:"自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来,时隔仅1年7个月,SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积,其意义更加非凡 。"

当天,SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会(Flash Memory Summit 2022)2上首次亮相了238层NAND闪存新产品。在峰会主题演讲中,崔正达SK海力士NAND闪存开发担当说道:"基于其4D NAND闪存技术,SK海力士全球首次成功研发了238层NAND闪存,进而确保了成本、性能、产品质量等层面的全球领先竞争力。公司将持续创新,并不断突破技术瓶颈。"

SK海力士在2018年研发的96层NAND闪存就超越了传统的3D方式,并导入了4D方式。为成功研发4D架构的芯片,公司采用了电荷捕获型技术(CTF,Charge Trap Flash)3和PUC(Peri. Under Cell)4技术。相比3D方式,4D架构具有单元面积更小,生产效率更高的优点。

238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时,实现了业界最小的面积。新产品每单位面积具备更高的密度,借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片,因此相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。

此外,238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps,相比前一代产品提高了50%,芯片读取数据时的能源消耗也减少了21%。可以说,SK海力士通过节省芯片的电力消耗,在ESG方面也取得了可圈可点的进步。

SK海力士计划先为cSSD(client SSD,主要应用范围为PC用存储设备)供应238层NAND闪存,随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器SSD等。公司还将于明年发布1Tb 密度的全新238层NAND闪存产品,其密度是现有产品的两倍。

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作者 gan, lanjie