无锡新洁能股份有限公司拟以自有资金对国硅集成电路技术(无锡)有限公司进行增资,注册资本由 315.7895 万元增加至 631.579 万元,增资后公司持股比例由 5%增至 52.5%。增资后国硅集成电路技术(无锡)有限公司纳入公司 2022 年度合并财务报表范围。

 

 

国硅集成电路技术(无锡)有限公司是一家专注于车规级智能功率集成电路芯片的设计公司,拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,国内首创四端口单片集成高压自举、自适应高压侧窄脉冲传输、增强型快速电平移位、互导型电容隔离信号传输、超高精度的片上集成双向过流保护等多项功率 IC 芯片核心技术,已形成系列智能功率集成电路芯片,包括:栅极驱动控制 IC 芯片(含 IGBT、硅基 MOSFET 及三代半导体等开关器件的栅极驱动芯片)、电机驱动 IC 芯片(含半桥、H 桥、三相桥);智能功率 IC 开关(Smart MOS)和功率驱动控制 IC 芯片及模块(DrMOS、IPM 等)系列产品在积极研发中。产 品应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。目前,国硅的智能功率集成电路芯片已经在光伏逆变、光伏储能、汽车电子和工业控制等市场成功上量。

 

 

本次对国硅进行增资并实现控股,构建了集成电路领域发力平台,不仅新增了 IC 系列产品本身,还能与公司既有 IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超结 MOSFET 等芯片集成创新,形成智能功率集成产品。

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作者 gan, lanjie