7月21日，北京昕感科技集团一行到访西安电力电子技术研究所有限公司，开展碳化硅芯片研发合作暨战略投融资专题交流会。陕西科技控股集团党委委员、工会主席孙路及副总经理董琪，西电技所党委书记、总经理耿涛及研发中心主任陈烨，西安派瑞功率半导体党委书记卢道真，陕西科控创投副总经理夏楠，昕感科技董事长创始人王哲、总经理刘建华、董秘杨莹等核心人员出席会议。与会人员就碳化硅功率芯片关键技术联合攻关、产业化协同及资本层面合作深入交换意见，并达成多项共识。
聚焦高压/超高压功率芯片，联合攻关核心关键技术
会议重点围绕10kV碳化硅芯片及4500V IGBT芯片两大项目展开交流。其中，10kV 碳化硅芯片面向智能电网、轨道交通、海上风电等超高压应用场景；4500V IGBT芯片则支撑特高压直流输电、大功率牵引传动等重大装备国产化需求。依托昕感科技在功率半导体芯片设计、工艺开发与规模化量产等方面的优势，以及西电技所在超特大功率器件研发、测试验证及标准制定方面的深厚积淀，双方将联合攻关两大芯片关键技术，对突破高端功率半导体技术瓶颈、推动行业技术升级具有重要意义。
深化战略协同，共建创新平台
在战略协同层面，此次会议探讨了技术、产业与资本多维度的深度合作路径。昕感科技作为中国功率半导体领域的领先企业，已完成从芯片设计、晶圆制造到模块封测的全产业链布局；西电技所作为我国电力电子行业技术归口研究所，拥有近六十年功率半导体器件研发底蕴，行业标准引领地位突出。双方积极推进共建联合创新平台，在万伏级碳化硅芯片设计、超高压器件工艺开发、可靠性验证及产业化应用等环节开展系统性合作，推动创新链与产业链深度融合。
未来，昕感科技与西电技所将充分发挥各自优势，以10kV 碳化硅芯片和4500V IGBT芯片项目为切入点，在技术攻关、平台共建、人才交流与项目投资等方面开展务实合作，共同推动我国高压功率半导体技术自主可控和产业高质量发展。