森丸推出SiC晶圆Cu Pad解决方案

• Al-Cu界面工程：接触电阻是这条工艺路线最敏感的指标，铝表面瞬间再生的致密氧化层是界面电阻的头号敌人。森丸对此深入研究，针对前处理工序细节，经过多年的研究与测试，精细打磨出特有的Know-How。
• 超薄片加工能力：SiC硬度接近金刚石，减薄至两百微米以下后翘曲与破片风险剧增。森丸具备成熟的晶圆减薄抛光、临时键合/解键合与薄片流转能力，配合低应力电镀体系，让超薄片"安全走完"全流程。
• 精密电镀平台：森丸拥有高精度电镀工艺能力，Cu/Ni/Au平面电镀及高深宽比通孔填充电镀经验丰富，电镀厚度均匀性与应力控制经过批量验证。

1、铝互连是SiC模块寿命的"最短板"

• 热膨胀系数失配：Al的CTE约24 ppm/K，而SiC仅约4 ppm/K，主动功率循环（APC）中热机械应力集中在键合根部（bond foot），裂纹沿键合界面萌生与扩展，最终键合线翘起（lift-off）；
• 再结晶与晶粒粗化：大电流下铝线键合点发热导致晶粒粗化、强度下降，键合点损伤——这在快充等大电流场景已被反复报道 ；
• 铝线熔断电流和载流密度低，难以匹配SiC芯片不断提高的电流密度。

• 车规级SiC功率模块：车规级AEC-Q101认证要求功率循环寿命>6,000次（ΔTj=100°C），传统Al线方案在4,000次后键合强度即衰减50%，无法满足下一代电驱动系统的全生命周期可靠性要求。Cu Pad+铜线键合凭借4倍于铝线的功率循环寿命，成为800V平台SiC功率模块封装的确定性技术升级方向。
• AI服务器电源：AI训练/推理集群的7×24不间断运行要求电源模块具备超长期可靠性（>10万小时MTBF），传统Al线方案在持续高温大电流工况下可靠性衰减过快。Cu Pad方案凭借更高的功率循环寿命和抗电迁移能力，是AI服务器电源升级的确定性方向。

• 英飞凌通过其.XT互连技术（铜焊盘+铜线+银烧结）已走在行业前列。其3.3kV XHP2模块已用10倍的功率循环寿命证明了该技术的巨大优势，并且明确了2026年将新一代CoolSiC™ JFET产品量产的规划。这一转变正从技术趋势变为行业标准。
• 三安光电已在PCIM 2025展示750V正面铜金属化SiC MOSFET晶圆，电镀铜8–20 μm + PI钝化，明确面向车规主驱、新能源与电源。
• 华为与中芯国际2026年5月联合发布《平面栅1200V SiC MOSFET正面镀铜工艺可靠性白皮书》，披露该工艺在短路耐受时间、功率循环寿命上的提升，并已进入成熟代工平台、支持客户定制，通过AEC-Q101相关加速验证。