据釜山创意经济创新中心3月3日报道，投资组合公司CIT参加了2026年移动通信大会（MWC 2026），并公开展示了其用于AI半导体封装的超平铜沉积玻璃基板“CuFlat-PKGCore”。
CIT是一家初创公司，致力于基于金属单晶材料技术开发下一代电信和半导体的先进材料。通过其专有工艺技术“ASE（原子溅射外延）”，该技术将铜原子层层沉积并结合到不导电的绝缘表面上，公司稳定地实现了传统工艺难以实现的“超平坦铜结构”。
该技术已通过发表在世界知名期刊《自然》和权威材料科学期刊《先进材料》完成学术验证。
展出的产品“CuFlat-PKGCore”将ASE技术应用于半导体封装玻璃基板，具有超平坦结构，铜表面粗糙度低于3纳米。这比当前AI加速器基板中使用的传统铜箔厚度约为其平面的200倍，被评估为下一代封装材料，能够在高速、高频环境中同时减少信号损耗和功耗。
CIT的半导体玻璃基板 图源官网
超平坦铜结构还具备实现细电路图案和高密度布线设计的优势，显著提升了半导体封装设计的灵活性。此外，即使在250°C以上的高温环境下，它也能保持稳定且不发生氧化或剥离，适合高温AI半导体封装。
公司在流程上也实现了差异化。通过用单一干式沉积工艺取代现有的多步骤电镀和抛光工艺，实现了工艺简化和碳排放减少。通过采用回收铜的环保工艺，碳排放可比传统方法减少高达95%，成为符合半导体行业ESG（环境、社会与治理）要求的技术。
CIT的“CuFlat-PKGCore”此前曾获得CES 2026创新奖，因其技术创新和工业应用而备受认可。公司计划借此MWC的参与为契机，加速与全球电信、人工智能和半导体企业的合作拓展，并为商业化奠定基础。
CIT通过釜山创意经济创新中心的分阶段支持，推动展览与宣传、投资联结及技术商业化战略推进，包括初步启动方案、PIE批次项目、智慧城市生活实验室、BOUNCE超级差距加速及全球扩展支持项目。
釜山创意经济创新中心一位官员表示：“CIT是一家先进的制造深科技初创企业，拥有应对AI半导体封装范式变革的核心材料技术，此次MWC公开展览将成为加速进入全球市场的机会。”该官员补充道：“我们将继续扩大全球展览、投资和商业化支持，使下一代半导体和材料初创企业能够在全球市场中保持竞争力。”
