明天精彩继续！第二届玻璃基板TGV暨板级封装产业高峰论坛如期开幕

随着AI算力芯片向大尺寸、高集成度演进，传统封装基板逐渐逼近物理极限。玻璃基板凭借更低信号损耗、更高尺寸稳定性等优势，成为台积电、英特尔等巨头布局CoWoS、HBM等先进封装技术的优选载体。

8月26—28日，第二届玻璃基板TGV及板级封装产业高峰论坛和2025年玻璃基板及封装产业链展览会如期在深圳宝安国际会展中心开幕，本次论坛和展览会将持续两天半。今日论坛的会议主题是玻璃基板TGV，艾邦半导体请到了国内外的相关专家、学者以及企业代表，共同探讨玻璃基板TGV的现况、未来趋势和技术创新与突破。

下面我们一起来回顾今天的演讲内容同大家做一个简单分享。

一、演讲内容回顾

1、《玻璃芯基板：新一代先进的封装技术》

安捷利美维电子（厦门）有限责任公司 技术专家 黄双武教授

随着人工智能、高性能计算、5G/6G等尖端技术的飞速发展，对芯片封装技术提出了前所未有的高密度、高带宽、低功耗、高可靠性的严苛要求。传统的封装基板材料正逐渐逼近其物理极限，寻找新一代的解决方案迫在眉睫。

玻璃芯基板技术，正是在这一背景下应运而生，被业界广泛认为是引领未来先进封装发展的关键路径之一。它凭借其优异的物理、电气和热学性能，为突破现有瓶颈、实现更高性能、更小尺寸、更低成本的先进封装提供了极具潜力的平台。

在本次论坛上安捷利美维的黄双武教授主要从公司基本信息、公司技术路线以及智能制造等方面给大家详述了《玻璃芯基板：新一代先进的封装技术》。

黄双武教授介绍到，半导体的发展差不多有50多年的历史，从早期打金线为主的传统封装技术到以倒装派为代表的先进封装技术以及现在CoWoS等技术。从发展历程来看，技术迭代的周期越来越短，从之前单一的封装技术到现在可以说是百家争鸣。

芯片行业的发展远远超越PCB行业的发展，他们之间形成的差距需要先进封装技术来弥补，这就是为啥会有这么多先进封装技术涌现，先进封装技术百花齐放的原因所在。

黄双武教授指出芯片封装技术领域最为核心的技术包括：导线连接、怎么布线、怎么做的更小、更高密度、更轻薄等。具体讲包括电路通孔技术(TSV，TMV，TGV)，多芯片3D集成(FoPLP，CoWos...)，凸点技术(Bumping，Cu-Pillar...)，基板技术(Silicon Interposer ...)，高频/高速/高密度/高散热覆铜板等。

最后黄双武教授总结到：安捷利美维在玻璃通孔量产规模以及布局方面走在了国内的前列，能够提供TGV与ABF多层板结合的解决方案，同时在陶瓷芯ABF基板方面也完成了一些验证工作。

2、《玻璃TGV金属化核心材料与技术》

华中科技大学温州先进制造研究院 研究员  李运钧

在追求更高集成度、更强性能、更小体积的电子系统道路上，三维集成技术已成为突破平面限制、延续摩尔定律的关键路径。而实现高效、可靠的三维互联，其核心在于先进材料与精密制造工艺的突破。

TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）技术，正是这一领域极具代表性的前沿方向。它利用玻璃优异的电学性能、高频特性和高平整度，结合精密的通孔形成与金属填充工艺，为高密度、高带宽、低损耗的三维互联提供了革命性的解决方案。如何实现TGV的高效集成，并开发与之匹配的核心材料体系，是当前技术攻关的重点与难点。

在本次论坛上华中科技大学温州先进制造研究院的李运钧研究员主要从玻璃TGV技术优势概述、TGV发展契机、技术路线对比、材料及装备创新、先进的制造工艺、TGV应用领域等方面给大家详述了《TGV集成三维互联核心材料技术》。

李运钧研究员介绍到璃TGV技术优势包括玻璃材料介电性能优良，高频性能好；热膨胀系数与硅接近，且TGV无需制作绝缘层；玻璃材料成本较低等等。

激光诱导刻蚀法制造玻璃通孔工艺，每秒可高速改性处理5000个 点，然后化学刻蚀掉激光改性的区域，构成通孔；玻璃TGV使玻璃电路和传统PCB一样实现三维互联。创新装备及专有材料技术可以实现高厚径比的玻璃TGV通孔，创新3.0工艺已可实现24：1 厚径比，传统TGV工艺极难实现。

最后给大家介绍了TGV应用领域，如在Micro/Mini-LED显示器背板、芯片电子封装内插板、MEMS器件、光电器件集成、传感器等方面的应用。

3、《超高端封装技术为高速运算芯片带来多方位解决方案》

江苏芯德半导体科技股份有限公司  研发副总经理  张中

在人工智能算力需求呈指数级增长的今天，先进封装技术已成为突破芯片性能瓶颈的核心引擎。传统制程微缩面临物理极限与成本飙升的双重挑战，而超高端封装技术通过多维异构集成、高密度互连和先进散热方案，为高速运算芯片开辟了全新的性能跃迁路径——这不仅关乎效率提升，更是一场重塑产业格局的战略竞速。

芯德科技致力于为全球客户提供一站式高端的中道和后道封装及测试服务，服务范围涵盖多种封装产品设计和服务，以全世界最稀缺的晶圆级封装（WLCSP）、大尺寸晶圆级凸块（Bumping）和系统级封装（SIP）资源为导入点，布局WLCSP、Bumping、LGA、BGA、2.5D封装、3D封装等高端封装产品，并成功推出CAPiC晶粒及先进封装技术平台，是未来封装行业发展的主赛道，是国内少数几家具备芯粒（Chiplet）封装技术的独立封测企业。

在本次论坛上芯德半导体研发副总经理张中先生主要从半导体集成电路封装以及先进封装定义、AI 人工智能系统架构以及典型芯片、芯德半导体科技/JSSI Milestone、芯德科技核心技术平台CAPiC—TGV等方面给大家详述了《超高端封装技术为高速运算芯片带来多方位解决方案》。

在2.5D封装技术领域，芯德科技布局全面且成果显著。除基于TGV的2.5D封装技术外，公司已构建起FOCT-R/S/L全系列解决方案，并将依托先进封装技术研究院持续推进技术迭代与创新突破。其中，FOCT-R方案（基于有机中介层）已实现规模化量产，其首创的晶圆级高密度IPD集成技术成功应用于海外高端客户的DSP芯片封装，以卓越性能赢得高度认可；FOCT-S方案（基于硅基中介层）已具备工程样品供应能力，相关设备投资已全面完成，预计2025年10月实现通线量产；FOCT-L方案（融合有机与硅基中介层技术）采用TMV技术实现SOC与HBM的高效互联，目前已达成工程样品能力，计划于2025年三季度正式发布。

4、《Next in Advanced Packaging: Why Glass Core Substrates is emerging》

YOLE  Dr. Yik Yee

玻璃芯基板（Glass Core Substrates, GCS） 正从实验室快速走向产业前沿，重新定义下一代封装的竞争规则。面板级制造（FOPLP）与玻璃基板协同发力：620mm×750mm玻璃面板面积是12英寸晶圆的6.6倍，利用率达84%（晶圆仅69%），推动封装成本降低20-30%。

本次论坛Yole集团Yik Yee博士报告预测玻璃基板收入到2030年将跨越10亿门槛，2050-2030年复合增长率将达到63%，增长15倍。玻璃核心基板仍处于初期阶段，但美国、韩国和中国的战略投资正在为未来商业化奠定基础。Yole Group 预计，玻璃核心基板将在 2030 年前发展为数亿美元级别的市场，主要应用于 HPC、AI 及电信领域。像 Absolics 位于美国乔治亚州的旗舰工厂项目，以及全球范围内不断增加的试产线，体现了业内巨头对玻璃核心基板技术的长期承诺。

5、《TGV玻璃原材開發現況與展望》

NEG 日本电气硝子 技术总监  蔡岱夆

近年来，随着用于人工智能的半导体变得更加强大，芯片组结构越来越受到采用，从而导致核心基板上安装的芯片尺寸变大，并且芯片数量增加。随着这一趋势，用于连接半导体芯片和主板的更大的核心基板的需求也在增长。

目前，塑料基板是主流，但随着基板尺寸的增大，出现了尺寸稳定性、热膨胀系数、刚度和散热性能等问题，这使得它们难以支撑下一代高性能、高密度应用。玻璃作为一种材料，因其解决这些问题的能力而受到关注。然而，形成玻璃核心基板中的微通孔（通孔）需要结合激光改性和酸或碱蚀刻的复杂工艺，这在技术难度、处理时间和资本投资方面带来了挑战。

本次论坛NEG技术总监蔡岱夆《TGV玻璃原材開發現況與展望》报告阐述了CO₂激光加工微型通孔工艺，还介绍了NEG可以在多个CTE范围内实现直孔形状TGV形状可以通过蚀刻条件进行控制。

目前NEG正在开发的玻璃芯基板将允许使用多功能的CO₂激光加工微型通孔(vias)。这将是一种克服上述挑战的创新技术。通过优化玻璃成分和激光加工条件，NEG已成功在某些孔形状中钻孔无裂纹，并继续开发，以实现各种孔形状。一旦开发完成，公司计划将此玻璃核心基板添加到其玻璃核心业务产品线中，以满足广泛的客户需求。

6、《高可靠3D IS(Integrated System)集成系统与3D IC先进封装关键技术研究》

锐杰微科技 研究院院长/总经理  张龙 博士

在智能汽车、航空航天等极端场景驱动下，半导体封装正经历从单点技术突破向系统级高可靠集成的战略跃迁。传统3D IC面临三大瓶颈：热管理失控、 信号完整性坍塌、可靠性质疑。

锐杰微科技首创的3D IS（Integrated System）技术平台，以四维创新重构可靠边界，可以解决这三大难点。公司开发纳米银烧结+微流道复合结构，热阻降至0.05℃·cm²/W（传统TIM的1/6），实测将AI芯片结温压制在85℃内；自研低温非晶键合材料，键合强度达300MPa（行业均值2倍），-55~150℃万次循环零失效；建成国内首条车规级3D IC产线，实现混合键合±0.15μm精度控制（超越OSAT巨头0.2μm）。

在本次论坛上锐杰微科技研究院院长/总经理张龙博士主要从先进封装需求背景、面向晶上系统的先进封装技术进展、2.5D封装关键技术、锐杰微科技RMT解决方案几方面给大家详述了《高可靠3D IS(Integrated System)集成系统与3D IC先进封装关键技术研究》。

张龙博士介绍到AI算力需求带动高性能芯片高速增长，高性能芯片发展面临量子隧穿效应、芯片散热、传输带宽、制造良率等方面的挑战。芯粒集成技术赋能高性能芯片，传统路径：器件尺寸持续微缩，自下而上，由器件和光刻工艺驱动产业发展，器件工艺为主，集成为辅。变革路径：集成芯片（芯粒集成）， 自上而下，由应用主导产业发展，集成为主，器件工艺为辅。芯粒技术和先进封装技术是集成芯片的关键技术。

2.5 D封装关键技术行业难题包括：

翘曲引起可靠性：C2/C4焊接虚焊(枕头效应)、短路、微凸点断裂、C4凸点变形晶圆低填/基板低填空洞、 设备精度下降、清洗不完成等。

有机PI可靠性：应力问题、有机物老化、PI吸湿、PI分层、粘附性RDL断裂等。

有机基板：尺寸/翘曲大、Cu pillar/焊球 焊接不稳定、有机基板可靠性、BAG应力。

针对以上问题锐杰微科技有着一系列解决方案，如晶上系统模组3D-SoWoS™分层设计，3DIS™先进封装平台，基于两个全流程的先进封装解决方案。

7、《基于SLE(选择性激光蚀刻)工艺的精密玻璃加工——机遇、挑战与解决方案》

Workshop of Photonics/凌云光技术股份有限公司 （VP of Business Development and Innovation） Martynas Dagys

本次论坛Workshop of Photonics/凌云光技术股份有限公司 （VP of Business Development and Innovation） Martynas Dagys主要从玻璃通孔工艺、市场需求以及WOP当前工艺加工水平给大家详述了《基于SLE(选择性激光蚀刻)工艺的精密玻璃加工——机遇、挑战与解决方案》。

对于透明材料，尤其是在玻璃微加工中，WOP 采用选择性激光诱导蚀刻 (SLE) 技术。该工艺将激光改性与化学湿法蚀刻相结合。可在各种材料中创建复杂的 3D 结构，提供高纵横比、微米级精度和多功能性。此外，它还经济高效，无需使用昂贵的掩模或成型工具。该技术可应用于微流体装置、微孔、光纤阵列、玻璃通孔（TGV）晶圆和面板以及生物医学、光学和MEMS行业的其他高精度组件等多个领域。

立陶宛WORKSHOP OF PHOTONICS（WOP）公司成立于2003年，22年来专注于飞秒激光微纳加工系统集成和飞秒微纳加工工艺研发，拥有超过50名专业技术人员和欧洲最大的飞秒激光微纳加工实验室，为全球用户提供各种飞秒微纳加工系统和飞秒微纳加工服务，以及全方位的飞秒激光微纳加工解决方案。

8、《TGV导电互连全湿法制备技术》

深圳大学 教授 符显珠

2025年3月，深圳大学与深光谷科技、上海交通大学合作开发了晶圆级TGV光电interposer工艺，实现了国产首个8英寸晶圆级TGVinterposer加工，实测带宽达到110GHz，可以面向2.5D和3D光电集成封装应用，为VCSEL、DML、EML、硅光、铌酸锂等技术路线的光模块产品提供高速、高密度、高可靠性和低成本的光电共封装（CPO）解决方案。

TGV光电interposer采用激光诱导刻蚀结合多层重布线（RDL）工艺，通孔深宽比4:1，基板厚度230um，表面平整度1.2um，支持2+1层RDL，挖槽深度60um，支持光纤阵列的耦合对准，支持电芯片flipchip封装，支持EML/SOA/硅光/铌酸锂等光芯片植球倒装，实测通孔和RDL布线带宽超过110GHz。

本次论坛深圳大学符显珠教授《TGV导电互连全湿法制备技术》报告讲述了3D导电互连TGV技术优势、以及制备，符教授团队还开发了低成本胶体Pd、PdCu、Cu和油墨型化学镀铜活化剂，研制了具良好电化学性能的填孔电镀铜高纯加速剂和整平剂，和自制活化剂、添加剂和镀液可实现TGV全湿法镀铜导电互连。

9、《磁控溅射深孔镀膜在TGV领域的应用》

广东汇成真空科技股份有限公司 项目经理  吴历清

广东汇成真空科技股份有限公司是一家面向全球的真空应用解决方案提供商，研发、生产和销售光学镀膜设备、功能硬质涂层设备、装饰涂层设备、卷绕镀膜设备、连续式磁控溅射镀膜生产线、ALD原子层沉积设备等，深耕PVD、ALD领域。

广东汇成真空针对传统通孔沉积中“非均匀、易剥离”的难题，结合HiPIMS技术+3D仿真优化，实现了更高效率、更高一致性的工业级镀膜方案。

在本次论坛上广东汇成真空项目经理吴历清主要从TGV深孔镀膜应用需求背景、HCVAC薄膜沉积系统等方面给大家详述了《磁控溅射深孔镀膜在TGV领域的应用》。

吴历清项目经理介绍到摩尔定律的指向芯片尺寸不断缩小、电子元器件要求更快、更强、更小、更可靠，玻璃基板成为了技术变革中的新载体。玻璃基板的优点包括低成本、优良的高频电学特性、工艺流程简单、机械稳定性强等。

玻璃TGV导电化的方法包括PVD、ALD、化学镀、CVD、导电液等，针对这些方法，吴历清项目经理做了详细对比。深孔镀膜的技术思路主要从高的能量、好的方向性以及堵孔风险的控制几方面展开。

为此广东汇成真空提出了HiPIMS磁控溅射镀膜技术，高功率脉冲磁控溅射(Hipims)技术是利用较高的脉冲峰值功率和较低的脉冲占空比来产生高溅射金属离化率、高能量离化粒子的一种磁控溅射技术，该项技术可以用于TCV/TGV。

最后吴历清项目经理给大家详述了HCVAC基板（深孔）金属化PVD镀膜系统以及HCVAC公司。公司通过先进的真空镀膜技术可提升产品性能和制造效率，面向战略性行业有多重定制化涂层解决方案。

10、《基于Holotomography（HT）的玻璃基板三维无损检测与良率提升策略》

韩国Tomocube 销售经理 金泳周

当玻璃基板成为HBM4堆叠与Chiplet集成的战略载体，微米级内部缺陷却化身良率刺客——传统切片检测破坏样本、电镜扫描仅限表面、X射线CT分辨率不足3μm，面对深宽比50:1的TGV通孔内壁微裂纹、激光改性区的纳米级应力畸变、混合键合界面的空洞隐患，现有手段犹如盲人摸象，漏检率高达35%。

为应对这一现象，韩国Tomocube推出HT 技术，Tomocube 是全球首家拥有第二代 Holotomography（HT）核心专利并实现商业化的企业。最新推出的 HT-T1 系统，具备161nm 光学分辨率 + 10⁻⁴ 折射率灵敏度，可精准检测：TGV 内壁粗糙度、微裂纹、激光加工缺陷。

目前 HT-T1 正在多家头部企业进行客户验证，并积极拓展产业合作，助力玻璃与显示行业的高质量发展。

在本次论坛上韩国Tomocube销售经理金泳周主要从玻璃基板大规模量产(HVM)的现状与挑战、什么是Holotomography (HT)、用于TGV形成的化学蚀刻、通过HT实现TGV的三维成像、TGV内壁粗糙度、切割过程中产生的微裂纹等方面给大家详述了《基于Holotomography（HT）的玻璃基板三维无损检测与良率提升策略》。

金泳周销售经理指出当前检测技术的局限性包括：

二维检测方法仅能提供表面或单一深度的信息；

对微观缺陷或细微变形的检测能力有限；

破坏性测试会损坏样品，影响跨工艺的相关性分析。

Holotomography (HT)即X射线CT的光学版本，实现快速且精确的无损成像与分析。通过HT实现激光改性的三维成像，以161纳米分辨率实现TGV结构的无损三维成像，可以无损测量TGV的关键尺寸、同心度、TGV内壁粗糙度、表面与内部缺陷。

同时，使用HT进行的无损高分辨率三维检测在切割分离线上至关重要。潜在的切割微裂纹在应力下扩大，导致致命失效；在芯片贴装后发现的裂纹会引发巨大的报废成本。HT提升玻璃基板良率，优化工艺条件，提高质量可靠性。

11、基于微镜阵列的超高速变焦显微成像技术在TGV产业的应用

季华实验室  特聘研究员 金哲镐 博士

在本次论坛上季华实验室特聘研究员金哲镐博士主要从微镜阵列系统、TGV视觉检测、TGV通孔检测解决方案、玻璃翘曲测量、玻璃切割面检测解决方案等方面给大家详述了《基于微镜阵列的超高速变焦显微成像技术在TGV产业的应用》。

微镜阵列超高速成像技术通过快速无损检测，能显著提升TGV工艺的良率和生产效率，填补了行业空白。

微镜阵列高速变焦系统，核心是由数千个 100μm×100μm 微镜组成的反射镜阵列。该系统依托 MEMS 技术，可对微镜的旋转与位移实现精准控制，通过调控阵列整体曲率达成高速变焦（速率 > 12kHz）；结合特殊光学设计，能够精准匹配半导体量检测场景中对高速、高分辨率光学成像的需求。

金哲镐博士介绍到TGV检测关键环节包括：通孔检测、玻璃翘曲厚度测量、玻璃切割面检测三个方面。通孔检测内容如通孔的形貌，包括直径、深度、圆度、锥角等；通孔内壁，孔内是否存在微裂纹、毛刺、异物、介电残留物等；通孔位置精度，与实际加工位置是否存在偏差（±3μm 以下）。玻璃翘曲厚度测量内容包括对于510mm×515mm的样品，玻璃翘曲导致离焦， 测量玻璃厚度。玻璃切割面检测包括：切割面尺寸公差、边缘粗糙度；布线图案的线宽和间距，ABF的扭曲、偏差；玻璃和ABF之间的界面接合状态。

最后给大家详述了TGV通孔检测解决方案、基于微镜阵列技术的共聚焦系统、玻璃翘曲测量系统、ABF 自动视觉检测、TGV检测自动化设备。

12、《TGV３.０通孔结构控制和金属化协同驱动封装新突破》

三叠纪（广东）科技有限公司  研发总监 李文磊

三叠纪（广东）科技有限公司是成都迈科科技有限公司的全资子公司，立足后摩尔时代三维集成微系统关键材料与集成技术，在行业内率先提出TGV3.0，首次突破亚10微米通孔和填充技术，被鉴定为整体国际先进，其中通孔尺寸、孔密度和深径比国际领先，是国内玻璃通孔技术的倡导者与引领者。

在本次论坛上三叠纪（广东）科技有限公司研发总监李文磊主要从研究背景、典型工作、工艺平台等方面给大家详述了《TGV３.０通孔结构控制和金属化协同驱动封装新突破》。

李文磊研发总监介绍到三维集成是后摩尔时代集成电路发展的必然趋势，行业期望兼顾高集成度、高速传输性能、大尺寸优势，转接板是后摩尔时代三维集成的通用基板材料，玻璃转接板是新一代3D集成封装的关键材料，玻璃芯封装载板是高性能算力芯片集成的优选方案。

研究进展方面，李文磊研发总监介绍到在通孔金属化方面研究了多种种子层工艺和电镀填充技术，突破超高深径比实心填充，探索了无种子层通孔金属填充技术，大幅减小工艺成本，并确保完全实心填充。Ni-P种子层制备，三叠纪选择了镍活化和无电解镀镍工艺。对镍活化工艺进行了优化，使种子层以高深径比(10:1)完全覆盖玻璃。并且还研究发现了退火处理可以改善接触粘附性。

公司亚10微米玻璃通孔及填充技术的突破，标志着攻克了TGV最大堡垒，实现了兼顾集成度和微波性能的理想，已完成板级玻璃芯板的金属化能力的建设；AR=15:1、Diameter=30um。

最后李文磊研发总监给大家详述了公司的工艺平台，公司不仅包括拥有传统的半导体研发平台（设备齐全、工艺先进、链条完整），还包括玻璃基专用封装中试平台，该平台是国际唯一同时具备晶圆级和面板级的中试产线，代表当前业界先进水平。

二、现场部分精彩留影

明日的论坛主题为板级封装，现场同样汇集了板级封装领域拥有数十年技术经验的专家教授及企业代表，欢迎大家一起期待明日的报告分享。

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