苏州纳维科技研发和生产总部大楼封顶

8月10日上午，苏州纳米城企业苏州纳维科技有限公司研发和生产总部大楼正式封顶，标志着第一阶段施工任务顺利完成，项目工程建设迈入新阶段。

该项目位于苏州纳米城，占地面积超14000平方米，总建筑面积超34000平方米，将建设成为国际前三的氮化镓（GaN）单晶衬底研发与生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片以上。

纳维科技成立于2007年，由中国氮化镓半导体产业“拓荒者”徐科领衔创立，专注于氮化镓单晶衬底的研发生产和材料生产设备的国产化。经过十余年的底层技术攻关及产业化发展，完成了从材料生长设备的自主研发到GaN单晶衬底生长制备的完整工艺开发，率先实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，是目前国内唯一一家能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶的企业，产品性能综合指标国际领先。