经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关,8月12日,首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉,晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代,这是晶盛在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。

重大突破!晶盛机电成功研发出8英寸N型SiC晶体

碳化硅器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点,被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。但“高硬度、高脆性、低断裂韧性”的碳化硅,对生产工艺有着极其苛刻的要求,而大尺寸的碳化硅晶体制备一直是行业的“卡脖子”技术。

重大突破!晶盛机电成功研发出8英寸N型SiC晶体

此次研发成功的8英寸SiC晶体,晶坯厚度25mm,直径214mm,是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题,同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题,为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。

SiC晶体生长和加工技术自主可控是抢占未来竞争制高点的关键!一直以来,晶盛机电始终坚持“打造半导体材料装备领先企业,发展绿色智能高科技制造产业”的初心使命,通过自主开发的设备、热场和工艺技术,不断延伸产品系列。从2017年开始布局碳化硅业务,到2020年建立长晶和加工中试线,SiC晶体直径也从最初的4英寸增大到如今的8英寸,进一步缩小国内外技术差距,保障我国碳化硅产业在关键核心技术上的自主可控。

重大突破!晶盛机电成功研发出8英寸N型SiC晶体

科技创新,为国担当!此次8英寸SiC导电单晶研制成功,不仅极大地提升了晶盛在SiC单晶衬底行业的国际竞争力,也为宽禁带半导体产业的国产化发展添砖加瓦,为喜迎党的二十大献礼!

重大突破!晶盛机电成功研发出8英寸N型SiC晶体

 

重大突破!晶盛机电成功研发出8英寸N型SiC晶体
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原文始发于微信公众号(晶盛机电):重大突破!晶盛机电成功研发出8英寸N型SiC晶体

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作者 gan, lanjie