12寸BCD大硅片取得技术突破!

近日,中欣晶圆12英寸轻掺BCD硅片产品取得技术突破,良率达到行业先进水平,通过国内外客户验证并已实现规模量产。(来源:中欣晶圆)


BCD是功率集成电路的关键技术,结合模拟、数字、功率三种不同技术的优势,拥有稳定的性能表现和优异的电性参数,提高了芯片的可靠性,减少电磁干扰,拥有更小的芯片面积,广泛应用于电源管理、模拟数据采集和功率器件等领域。


中欣晶圆的12英寸轻掺BCD硅片产品,先进的COP Free及BMD控制晶体生长技术,以及高平坦度、洁净度的产品加工平台,使得产品具备优异的性能表现,未来将持续供应,为客户提供优质的产品。


中欣晶圆将继续秉持初心,持续技术创新,满足日益增长的硅片市场需求,为中国半导体行业的贡献更多的智慧与力量,实现半导体硅材料的“中国智造”。

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12寸BCD大硅片取得技术突破!

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硅宝科普小课堂 

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BCD


一、BCD的概念

BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术是一种单片集成工艺技术,将BJT(双极型晶体管)、CMOS(互补金属氧化物半导体)和DMOS(双扩散金属氧化物半导体)晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺,1985年由意法半导体率先研制成功。随着集成电路工艺的进一步发展,BCD工艺已经成为功率集成电路的主流制造技术。

12寸BCD大硅片取得技术突破!

图片来源:意法半导体官网


Bipolar(双极型)工艺适合生产模拟功能器件,具有截止频率高、驱动能力大、速度快、噪声低等优点。CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺适合生产数字功能电路,具有集成度高、功耗低、输入阻抗高等优点。DMOS(双扩散金属氧化物半导体)工艺适合生产功率器件,具有高压、大电流的特点。


二、BCD工艺的优点

BCD工艺把Bipolar器件、CMOS器件、DMOS功率器件同时制作在同一芯片上,综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点;同时DMOS可以在开关模式下工作,功耗极低,不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。


BCD工艺有更高的可靠性、更少的电磁干扰以及更小的芯片面积,拥有更佳的电性参数,可大幅降低功率耗损,提高系统性能,节省电路的封装费用,并具有更好的可靠性,提供了更具竞争力的制造方案。


三、BCD的发展情况

意法半导体目前依然是全球领先的BCD工艺制造商,已经生产了500万片晶圆,售出400亿颗芯片,仅2020年就售出近30亿颗芯片,此前主要是350nm、180nm、110nm等,最新量产的十代工艺是90nm。


在模拟与电源管理平台,BCD技术工艺在国内晶圆代工行业起步较早,并已实现规模量产,中芯国际、华虹半导体、华润微、士兰微、芯联集成等企业在BCD工艺方面取得了突破。


BCD技术正朝着高电压、高功率、高密度三个关键方向发展,广泛应用于电源管理、模拟数据采集和功率执行器等领域的产品和应用,以满足汽车电子、工控、消费电子等不同应用场景对高电压耐受、小型化、高集成度等的需求。


                    参考资料来源:意法半导体、电子工程专辑

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推荐活动【邀请函】2025年第四届功率半导体产业论坛

2025年第四届功率半导体产业论坛

The 4th Power Semiconductor Devices Industry Forum

Si SiC GaN

2025年6月
华东 

一、会议议题

序号

暂定议题

拟邀请

1

车规功率半导体器件应用现状与趋势 

拟邀请模块/汽车企业/高校研究所

2

碳化硅(SiC)在新能源汽车电机驱动系统中的应用

拟邀请模块/汽车企业/高校研究所

3

电动汽车电机控制器的发展 

拟邀请模块/汽车企业/高校研究所

4

面向光伏储能系统应用的功率模块

拟邀请模块/光伏储能企业/高校研究所

5

IPM 智能功率模块的设计与应用

拟邀请IPM企业/高校研究所

6

氧化镓(GaN)功率器件的研究进展

拟邀请GaN企业/汽车企业/高校研究所

7

氮化镓功率器件在汽车领域的机遇

拟邀请GaN企业/高校研究所

8

沟槽型SiC MOSEET器件研制及应用进展

拟邀请SiC企业/高校研究所

9

高功率密度SiC功率模块设计与开发

拟邀请SiC模块企业/高校研究所

10

碳化硅(SiC)功率模块关键技术研究

拟邀请SiC模块企业/高校研究所

11

IGBT器件新结构研究

拟邀请IGBT企业/高校研究所

12

车规级功率器件的封装技术及可靠性研究进展

拟邀请模块企业/高校研究所

13

功率模块焊接工艺技术进展

拟邀请工艺/模块企业/高校研究所

14

碳化硅功率模块大面积银烧结工艺技术进展

拟邀请材料/模块企业/高校研究所

15

高性能功率模块铜互联技术研究进展

拟邀请材料/模块企业/高校研究所

16

功率半导体器件高效热管理技术研究进展

拟邀请热管理企业/高校研究所

17

功率模块用AMB氮化硅陶瓷覆铜基板

拟邀请载板企业/高校研究所

18

功率端子超声焊接工艺技术

拟邀请超声技术企业/高校研究所

19

功率半导体模块的无损检测解决方案

拟邀请检测企业/高校研究所

20

功率半导体器件自动化生产解决方案

拟邀请自动化企业/高校研究所

更多相关议题征集中,演讲及赞助请联系张小姐:13418617872 (同微信)

二、报名方式

收费标准

付款时间 1-2个人 3个人及以上
2025年4月前 2600/人 2500/人
2025年5月前 2700/人 2600/人
2025年6月前
2800/人
2700/人
现场付款
3000/人 2800/人
★费用包括会议门票、全套会议资料、午餐、茶歇,晚宴等,但不包括住宿;

联系方式

方式一:请加微信并发名片报名

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Elaine 张:134 1861 7872(同微信)

方式二:长按二维码扫码在线登记报名

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https://www.aibang360.com/m/100230?ref=172672

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):12寸BCD大硅片取得技术突破!

作者 808, ab

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