【会员产品】芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品

目前IGBT主要是以沟槽栅+场截止技术为主，我司在此技术上不断迭代，开发第七代1200V300A Trench+FS IGBT采用沟槽栅和场截止工艺结合合理的虚假栅（dummy）技术使得Vcesat能达到1.6V，且短路时间能保持在8us以上，保持技术上的先进性，峰值功率、峰值电流和可靠度，都能满足工业和车规中的应用要求。

 功率调节与控制：IGBT可用于调节和控制电路中的功率流动，通过调整其导通和截止状态，可以实现对电路中功率的精确控制。这在各种电力电子应用中尤为重要，如电机驱动、电源供应和变频调速系统等。

电力开关：IGBT作为电力开关使用时，能够控制高功率电路的开关行为。它们在电源开关、交流电源调节器和电动汽车控制器等应用中起到关键作用。

 稳定性：1200V超大单芯片IGBT额定电流能达300A，从而能够减小在工业、车用功率模块中并联的芯片颗数，能降低因芯片间差异产生的热失控风险。 

节能环保：IGBT作为一种高效的功率半导体器件，可以将电能有效地转换为机械能、光能或其他形式的能量，提高了电力系统的能源利用效率。通过降低能源消耗，IGBT有助于减少对能源资源的需求，从而降低了对环境的负面影响。

 可再生能源集成：IGBT在可再生能源系统中具有重要作用，例如太阳能和风能发电系统。它们可以有效地控制和调节可再生能源的输出，实现稳定的电力供应。通过促进可再生能源的集成和利用，IGBT有助于减少对传统的化石燃料的依赖，从而减少温室气体排放。

IGBT在工业领域中被广泛应用于电机驱动和电力变换等方面。通过控制和优化工业设备的电力消耗，IGBT有助于提高工业生产的能效，并降低了对能源的需求和排放的数量。

车规管理系统规范：通过16949车规认证。