意法半导体 (NYSE: STM)是一家全球领先的半导体供应商，服务于各种电子应用领域的客户。该公司宣布推出基于 18nm 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术的先进工艺，该工艺带有嵌入式相变存储器 (ePCM)，可支持下一代嵌入式处理设备。这项由意法半导体和三星代工厂共同开发的新工艺技术，为嵌入式处理应用带来了性能和功耗的飞跃，同时允许更大的内存容量和更高水平的模拟和数字外设集成。基于新技术的首款下一代 STM32 微控制器将于 2024 年下半年开始向选定客户提供样品，计划于 2025 年下半年投入生产。
意法半导体微控制器、数字 IC 和 RF 产品部总裁 Remi El-Ouazzane 表示："作为半导体行业的领先创新者，意法半导体率先为汽车和航空航天应用推出了 FD-SOI 和 PCM 技术，并将其带给我们的客户。我们现在正采取下一步行动，从我们的下一代 STM32 微控制器开始，将这些技术的优势带给工业应用开发人员。"
技术优势
与目前使用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术相比，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 大幅提高了关键性能参数：
*性能功率比提高 50% 以上
*非易失性存储器 (NVM) 密度提高 2.5 倍，从而可以使用更大的片上存储器
*数字密度提高三倍，可集成 AI 和图形加速器等数字外设以及最先进的安全功能
*噪声系数改善 3dB，从而增强无线 MCU 的 RF 性能
该技术可在 3V 电压下运行，为电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能提供支持。它是唯一支持此功能的 20 nm 以下技术。
由于强大的高温操作、抗辐射和数据保留功能已在汽车应用中得到验证，该技术还提供了要求苛刻的工业应用所需的可靠性。
有关FD-SOI和PCM的更多信息，请访问 ST.com。
对 STM32 微控制器开发人员和客户的好处
基于该技术的微控制器将为开发人员带来一类全新的高性能、低功耗无线 MCU。大容量内存可满足边缘 AI 处理、多协议 RF 堆栈、无线更新和高级安全功能日益增长的需求。高性能和大容量内存功能将使当今使用微处理器的开发人员能够选择在其设计中使用集成度更高、性价比更高的微控制器。它将进一步提高超低功耗设备的能效，而 ST 的产品组合目前在业界处于领先地位。
基于该技术的首款微控制器将集成最先进的 ARM Cortex-M 内核，为机器学习和数字信号处理应用提供增强的性能。它将提供快速灵活的外部存储器接口和先进的图形功能，并集成众多模拟和数字外设。它还将具有 ST 最新 MCU 上已推出的先进、经过认证的安全功能。