DNP加速 2 纳米一代 EUV 光刻的光掩模制造工艺开发

大日本印刷株式会社（DNP）已经开始全面开发 2 纳米（nm：10-9m）代逻辑半导体的光掩模制造工艺，支持半导体制造的尖端工艺 EUV（极紫外光）光刻技术。

近年来，尖端逻辑半导体已通过使用 EUV 光源的 EUV 光刻技术生产出来。2016年，DNPDNP成为全球首家推出多光束掩膜写入器(MBMW)的商业光掩膜制造商，增强了其高生产率和高品质制造尖端半导体的能力。2023年，DNP完成了3纳米一代的EUV光刻光掩模制造工艺的开发，并开始了2纳米一代的开发。

为了满足进一步小型化的需求，DNP计划在2024年底前运行第二个和第三个多电子束掩模写入系统，将开始全面开发用于 2 纳米一代 EUV 光刻的光掩模制造工艺。此外，DNP还参与Rapidus 在NEDO"后5G信息和通信系统基础设施强化研究与开发"下委托的"(d1)高集成尖端逻辑半导体制造技术开发"项目''。

到2025年，DNP将完成与EUV光刻兼容的2纳米代逻辑半导体光掩模制造工艺的开发，从2026年起，致力于将建立生产技术，以期在2027年开始量产。此外，DNP已开始面向2纳米及更新一代技术进行开发，并与总部位于比利时的国际尖端研究机构imec签署了协议，共同开发下一代EUV光掩模。