2024 年 2 月 23 日，高可靠性航空航天、国防、太空和工业应用关键微电子元件和服务的领先供应商Micross Components, Inc.（Micross）通过增加陶瓷柱栅阵列(CCGA)封装，扩展了其MRAM产品。Micross 共烧陶瓷柱栅阵列封装是针对太空应用的高可靠性 MRAM 解决方案的最新产品，该解决方案有益于改善与热应力相关的机电故障。
Micross最初支持 CGA 机电接口的产品是 1Gb (32M x 32) 和 4Gb (128M x 32) 并行自旋扭矩 MRAM 产品变体，基于其技术合作伙伴 22nm Gen-3 pMTJ STT-MRAM 工艺节点拓扑。这种新的封装产品是通过柱最后连接焊接工艺 (CLASP) 实现的，该工艺获得了 IBM 的许可，为密封细间距封装提供高度稳健的热冲击和应力耐受性选项。
Micross 的 SWaP 优化密封太空级 1Gb 自旋转移扭矩 MRAM 器件在存储器阵列内提供真正的随机读取和写入访问，并具有基于技术合作伙伴 22nm Gen-3 pMTJ STT-MRAM 工艺节点拓扑的额外加固优势，本身具有很强的抗磁通量能力，从而减少了对额外设备屏蔽的需求。
该 MRAM 器件架构类似于具有 SRAM 兼容读/写接口的闪存技术，并增加了异步页面模式功能的性能增强。垂直自旋扭矩 MRAM 器件提供针对恶劣环境的固有保护，以及所有非易失性存储器的最佳功率配置，使其非常适合高可靠性航空航天和太空应用。
Micross 和 Avalanche 通过提供基于这种一流的高性能非易失性存储器技术的全系列 STT-MRAM 器件，满足了对更低功耗和更紧凑存储器解决方案的需求。CCGA 目前是适用于大尺寸和/或细间距封装减轻减轻封装和印刷线路组件 (PWA) 之间的 CTE 不匹配的最佳解决方案。焊柱在高冲击和振动的最终用途应用中提供顺应性、吸收应变并提高生存能力。
Micross 获得许可的 CLASP 柱连接工艺采用 Sn10Pb90 焊线，通过共晶钯掺杂 Sn63Pb37 焊料连接工艺将其连接到陶瓷栅格阵列封装上。此过程有利于 PWA 返工（如有必要），同时提供高质量的封装连接。
Micross 的新 MRAM 系列中提供旋转扭矩，持久 MRAM 1Gb、32M x 32。1Gb STT-MRAM 提供太空和军事完全军用级陶瓷(QML) 封装，该产品提供高耐用性，在 -40°C 至 +125°C 温度范围内数据保留时间超过 10 年，以及 2.70-3.60V 的电压工作范围，在 -55°C 至 +125°C 军用温度范围内保证最小访问时间为 45ns。
Micross Hi-Rel Components 总经理 Michael Agic表示："Micross 基于 Avalanche 的自旋扭矩 MRAM 产品采用 Micross 许可的 CLASP Column Grid Attach 工艺封装，能够延续功能丰富、强大的存储器解决方案，满足下一代太空和深空飞行要求，随着 Micross 进一步为客户扩展 MRAM 技术解决方案，我们将在整个 MRAM 产品系列中引入更多 CCGA 选项，同时继续研究下一代焊柱材料和附着工艺。"