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1200V CoolSiC™ MOSFET半桥

和三相桥Easy模块

新品 | 1200V CoolSiC™ MOSFET 半桥和三相桥Easy模块

EasyDUAL™ 1B和EasyPACK™ 1B采用CoolSiC™ MOSFET增强型1代,适用于1200V应用。这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测。它们还提供预涂热界面材料和AlN/Al2O3基板等不同型号。

相关器件:

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  33mΩ 1200V 三相桥低热阻版本

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新品 | 1200V CoolSiC™ MOSFET 半桥和三相桥Easy模块

产品特点

1200V CoolSiC™ MOSFET

Easy1B封装

非常低的模块寄生电感

RBSOA反向工作安全区宽

栅极驱动电压窗口大

PressFIT引脚

应用价值

扩展了栅源电压最大值:+23V和-10V

在过载条件下,Tvjop最高可达175°C

最佳的性价比,可降低系统成本

可工作在高开关频率,并改善对冷却要求

竞争优势

扩展现有产品系列

半桥模块和三相桥模块

带或不带预涂导热材料TIM模块版本

提供标准DCB和高性能DCB

应用领域

电机控制和驱动

伺服电机驱动和控制

电动汽车充电

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原文始发于微信公众号(英飞凌工业半导体):新品 | 1200V CoolSiC™ MOSFET 半桥和三相桥Easy模块

作者 liu, siyang