【邀请函】碳化硅半导体加工技术创新产业论坛（苏州·7月4）

作为第三代半导体芯片的典型代表，碳化硅（SiC）拥有比硅更优秀的半导体性能，包括耐高压能力、耐高温能力、耐辐射能力以及更强的高频能力、更低的电子转换损耗等，被广泛应用于新能源汽车、光伏储能、轨道交通、航空航天、5G通讯等前沿科技领域，不仅开启了新的技术疆界，更是在多行业掀起了一场产业变革的浪潮。

从碳化硅工艺流程上看，首先由碳化硅粉末通过长晶形成晶锭，然后经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬底，再在衬底上经过外延生长得到外延片，外延片则经过光刻、沉积、离子注入等工艺制成碳化硅晶圆，最后经过划片、减薄等工艺制成芯片，并封装得到碳化硅器件。

碳化硅工艺流程

目前碳化硅半导体的市场化进程面临着三大难题，一是品质，二是良率，三是价格。碳化硅的最大应用市场是电动汽车，而车载碳化硅器件对相应的衬底和外延品质要求更高，目前达标的并不多；良率过低是产业面临的普遍问题，这也影响了碳化硅的产能提升，无法大规模量产导致价格居高难下，这些问题已成为制约碳化硅发展的关键瓶颈。

想要解决这些问题，可以从两方面入手，一方面扩大碳化硅尺寸来提高产能降低成本，相关数据显示，碳化硅衬底从6英寸升级到8英寸，合格芯片产量可以增加 80%-90%，可以将单位综合成本降低50%以上；另一方面则可以改进碳化硅半导体的制备和加工工艺，如在衬底的制备成本中，制造费用占比高达50%，还有较大的下降空间。

如今国内外厂商都在加快布局8英寸碳化硅，Wolfspeed在去年、今年相继启动两座8英寸碳化硅工厂；意法半导体此前就与Soitec合作来量产8英寸SiC衬底；罗姆此前表示在2023年开始量产8英寸碳化硅衬底；英飞凌也计划在2023年开始量产8英寸衬底；国内天岳先进、天科合达签约英飞凌，未来将供应8英寸碳化硅衬底；三安光电联合意法半导体，将投入70亿元建设年产48万片的8英寸碳化硅衬底；中电化合物也宣布与韩国Power Master签订了长期供应8英寸在内的碳化硅材料的协议，种种数据显示，今年8英寸碳化硅衬底已走上了量产阶段。

往届碳化硅论坛现场

碳化硅从6英寸扩大到8英寸，产业链相关工艺也需要随之优化，如长晶环节，8英寸与6英寸在籽晶制备与温场控制等方面有不同需求；切割加工方面，衬底尺寸越大产生的切割应力、翘曲问题越显著；外延生长也需要相对应的设备等等，正是这些产业化技术难题，让目前8英寸碳化硅的应用进展并不让人满意，创新碳化硅半导体加工技术可谓迫在眉睫。

为推动碳化硅产业的快速健康发展，促进制备与加工技术的创新应用，艾邦智造将于2024年7月4日在苏州日航酒店举办《碳化硅半导体加工技术创新产业论坛》，本次会议将围绕碳化硅的单晶生长、衬底制备的切磨抛、外延的生长以及晶圆芯片的制备等工艺流程展开，诚挚邀请产业链上下游朋友一起交流，共同探讨如何解决碳化硅产业发展所遇到的技术难题。

主办单位：艾邦智造

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• 高纯碳粉、硅粉、碳化硅粉末、坩埚、籽晶等材料企业；

• 晶锭、衬底、外延、晶圆等产品企业；

• 碳化硅晶体、外延生长等设备企业；

• 金刚石线切割、砂浆线切割、激光切割等切割设备企业；

• 碳化硅磨削、研磨、抛光和清洗及耗材等企业；

• 检测、退火、减薄、沉积、离子注入等其他设备企业；

• 高校、科研院所、行业机构等；

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