晶能SiC半桥模块试制成功


近日,晶能首款SiC半桥模块试制成功,初测性能指标达到国际一流水平。

晶能SiC半桥模块试制成功
晶能SiC半桥模块

模块电气设计优异,寄生电感5nH;采用双面银烧结铜线键合工艺,配合环氧树脂转模塑封工艺,持续工作结温达175℃,在800V电池系统中输出电流有效值高达700Arms

此次SiC半桥模块是为应对新能源汽车主牵引驱动器的高功率密度、高可靠性等需求研发的重要产品。涵盖750V/1200V耐压等级,至多并联10颗SiC芯片,可应对纯电及混动应用场景下的不同需求挑战。



原文始发于微信公众号(晶能):晶能SiC半桥模块试制成功

作者 gan, lanjie