国投创业日前宣布，完成对国内IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片领先企业宁波达新半导体有限公司（简称“达新半导体”）的B轮领投，支持企业建设生产基地、扩大研发投入等。
此前，国投创业已完成对功率半导体（IGBT、MOSFET & SiC）设计和应用企业上海陆芯电子科技有限公司（简称“陆芯科技”）的C轮领投，新一轮融资将加强产品供应链，拓展产品销售渠道，支持新产品的研发投入和技术迭代。
IGBT作为电控系统的核心器件，产品结构复杂程度、模块集成度和市场门槛较高，当前全球IGBT市场90%左右为欧、美、日国际巨头所占据。我国IGBT 起步较晚，国产化率仅为10%，但市场规模占全球50%左右。随着IGBT在工业变频、新能源汽车和家电领域应用的迅速扩大，未来具有较大的进口替代空间。
国投创业认为
IGBT是值得投资布局的行业赛道，陆芯科技、达新半导体的技术能力、特色工艺方案选择、产品定型批产、市场验证和客户导入、骨干团队打造、发展路径策略等方面均有良好积累沉淀，进入快速发展的节点。团队拥有国际和国内知名半导体企业的芯片工艺技术开发和产业化制造经验，得到业内的广泛认可，并建立了高粘性IGBT的下游客户和市场渠道。国投创业将凭借在半导体全产业链布局优势，在相关产业资源协同和对接方面提供积极支持，助推企业实现快速发展。
关于陆芯科技
陆芯科技2017年成立于上海张江高科技园区，是一家专注于最新一代功率半导体器件的高新技术企业。公司聚焦于功率半导体（IGBT、MOSFET & SiC）的设计和应用，掌握了创新型功率半导体核心技术，拥有自主知识产权和品牌。产品设计采用的最新一代Fine-Pitch沟槽栅场截止技术，具备比肩国际一线品牌的高性能与高可靠性，已成功导入国内多家细分行业头部企业客户。
图：陆芯科技产品系列
陆芯科技未来将不断开发IGBT 新一代产品及MOSFET，并逐步按计划推向市场，SiC产品及模块业务也开始纳入公司发展规划。公司将加大对新能源汽车电子、储能、光伏、逆变、UPS及变频器等领域的推广力度，持续提升公司品牌价值和影响力。
关于达新半导体
达新半导体成立于2013年，是由业内知名海归博士创立的国家级高新技术企业，公司从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，并提供相关的应用解决方案。公司团队拥有多年海内外功率半导体芯片及模块研发和制造经验，在国内IGBT行业中拥有较高的知名度。
图：达新半导体模块产品
达新半导体拥有芯片设计、晶圆制造、模块制造及应用的完整IGBT产业链，是国内唯一及国际上少数开发成功6寸和8寸全IGBT芯片技术的企业。达新半导体开发出了650V、1200V全系列电流规格芯片产品，可广泛应用于白色家电、逆变焊机、工业变频、感应加热、大功率电源、UPS、新能源汽车、太阳能和风力发电、SVG等，满足80%以上的市场应用领域，40余种产品取得市场应用突破，实现批量化销售。公司还建有国内领先的测试应用评估中心，包括芯片评估、器件测试、应用分析及可靠性等实验室。
关于国投创业
国投创业成立于 2016 年，是国家开发投资集团为落实国家创新驱动发展战略，深化与科技部全面战略合作，加快推动国家科技成果转移转化，按照市场化方式专门设立的私募股权投资基金管理公司。国投创业通过国家科技重大专项成果转化基金、国投京津冀科技成果转化基金、国投高新（深圳）创投基金、国投（宁波）科技成果转化基金和国投（广东）科技成果转化基金等平台，始终围绕科技成果转化投资目标，聚焦先进制造、电子信息、生物医药、材料能源等关键领域，着眼京津冀、长三角、粤港澳大湾区等国家区域发展战略布局，持续推动关键核心技术自主创新不断实现突破，构建良好的科技成果转化投资生态体系。
往期回顾
国投创业领投电子级多晶硅领先企业鑫华半导体
国投创业领投同光晶体A轮，布局第三代半导体衬底
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原文始发于微信公众号（国投创业）：聚焦IGBT进口替代，国投创业连续领投陆芯科技和达新半导体
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