IGBT全称“绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）”，自商业化应用以来，其作为新型功率半导体器件的主型器件，在1-100kHz的频率应用范围内占据重要地位，被广泛应用于工业、4C（通信、计算机、消费电子、汽车电子）、航空航天、国防军工等传统产业领域以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。
图 IGBT器件市场应用领域
近年来，激光退火（LSA）被认为是对前道IC超浅结（USJ）和硅化物退火的技术突破，后续扩展至BSI-CIS、TFT晶化和激光剥离等应用领域。与传统退火工艺（如RTP、Furnace）相比，激光退火可精确控制硅片面的能量密度，并具备更短的脉冲驻留时间、更高的激活效率、更少的热扩散、亚熔和完全熔化退火等优势。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发的需要，越来越多的IGBT背面退火应用开始引入激光退火技术。
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典型IGBT激光退火工艺
IGBT背面工艺首先是基于已完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理，然后对减薄硅片进行背面离子注入，如N型掺杂P离子、P型掺杂B离子。
图 IGBT退火过程分析
原文始发于微信公众号（上海微电子装备集团）：IGBT激光退火工艺简介
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