随着芯片技术研发难度的增加，Chiplet的标准越来越受到全球芯片行业的关注，Chiplet技术的趋势将为加快中国芯片技术的发展提供支撑，有助于中国芯片缩短与海外芯片技术的差距。
在过去，芯片技术的竞争是芯片技术竞争的关键。但在3nm技术的今天，芯片技术的研发遇到了困难，仅靠芯片技术的研发很难持续提升芯片的性能。
TSMC 2020年量产5nm。原本TSMC预计2021年量产3nm，延续之前芯片制造工艺研发的迭代时间。然而事与愿违，3nm工艺直到今年才研发成功。但在3nm工艺研发成功后，苹果指出3nm工艺达不到预期性能，成本增加太大，导致苹果放弃3nm工艺，采用5nm工艺改进的4nm工艺。
3nm R&D的电阻证明摩尔定律真的无法继续，3nm工艺无法成功量产，所以2024年能否量产也值得怀疑。之前1-2年海外芯片技术升级第一代芯片制造工艺的路线已经中断。
芯片制造工艺升级步伐被打乱，实际上对中国芯片有利，为中国进一步缩短与海外国家的芯片技术水平提供了时间和空间。近年来，中国一直在通过各种方式积极尝试摆脱芯片制造工艺的限制，努力提升芯片性能。
中国仍在努力发展先进技术。据说，SMIC正在推动芯片制造工艺向7纳米工艺演进。一旦7nm工艺量产，TSMC等芯片制造企业在先进技术的研发过程中受阻，中国与海外芯片制造工艺的差距将会缩短。
除了缩短芯片制造技术的差距，中国还在发展芯片堆叠和Chiplet技术，以提高芯片性能。芯片堆叠技术是将两个14nm工艺生产的芯片堆叠在一起，以获得更强的性能，从而获得接近7nm工艺的性能。这项技术应用在手机上有发热过大的问题，但对于电脑、AI等行业已经不是问题了。TSMC为一家英国制造商生产了类似的芯片。将两个7nm芯片封装在一起，性能可以提升40%，甚至超过5nm芯片，证明了其可行性。
芯片技术是另一种提高芯片性能的技术。通过将不同工艺、不同性能的芯片封装在一起，可以缩短各种芯片之间的通信时间，提高整体性能。比如通过封装内存芯片，GPU，CPU，AI芯片等。，整体性能可以大大提高。在这方面，中国也出台了自己的Chiplet技术标准。
在封装技术方面，我国已经具备了封装4nm芯片的技术，甚至有国内封装芯片企业连续几年获得AMD的先进芯片封装订单，证明我国在芯片封装技术上已经达到世界一流水平，这将有助于我国大幅缩短与海外芯片的性能差距，满足国内制造业对先进芯片的需求。
可以预计，随着海外芯片产业在先进芯片制造技术上遭遇障碍，芯片性能的提升转向芯片封装技术，中国与海外芯片在先进芯片技术上的差距将继续缩短，海外芯片技术对中国芯片发展的影响将越来越小，中国芯片技术局限性的影响将越来越小，他们制约中国芯片技术发展的难度将越来越大。
原文始发于微信公众号（半导体封测）：Chiplet技术更有利于缩短中国芯片与海外的芯片技术差距
