据韩国媒体报道，9月7日，三星电子公司表示，位于韩国平泽的新生产线 (P3)，也是三星迄今为止建造的最大的芯片制造工厂正式全面投入运营，该工厂耗资 30 万亿韩元（220 亿美元），自 7 月以来已开始生产最先进的 NAND 闪存。
三星设备解决方案部门首席执行官兼总裁 Kyung Kye-hyun："平泽园区正迅速成为三星的关键制造中心，生产从世界上最小的 14 纳米 (nm) DRAM 和领先的 V-NAND 到亚 5 纳米逻辑解决方案的尖端半导体。"
P3 生产线配备了荷兰芯片设备制造商 ASML 的极紫外 (EUV) 光刻机，这对于制造先进芯片至关重要。三星还表示，它已经在其平泽园区开始了另一条生产线 P4 的基础工作。
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