一旦电流密度过大或者搭桥时间过长,会出现孔口提前封口的现象 目前，TGV无空隙填充主要有3种方法。一是保形生长，借助TGV自身几何形貌实现束腰处搭桥。2020年，康宁公司基于蒂勒模量分析，在深宽比为6∶1的X型TGV上实现了无添加剂条件下的无缺陷填充，但该方法严重依赖特定的X型几何孔且填充效率较低。二是开发新型添加剂并配合电流密度调整实现中心搭桥。2017年，OGUTU等使用单一抑制剂在3h内实现了深宽比6∶1的TGV无空洞填充；此后FEY等进一步采用四唑添加剂结合预填充孔策略，将填充深宽比5∶1和10∶1的50μm直径孔的时间分别从约3h和12h大幅缩短至约1h和4h。三是通过脉冲反向电镀与添加剂配比调控，在孔中央区域搭桥形成2个盲孔后再进行自下而上填充。2025年，德国安美特FIEDLER等采用该技术在IMAPS研讨会上报道了深度400μm、孔径70μm的玻璃通孔无缺陷填充，验证了其可靠性。然而，该技术在高深宽比TGV填充的工艺窗口以及国产添加剂体系中的适配性研究尚不充分。
针对这一难题，东南大学联合上海天承化学有限公司、江苏芯德半导体科技股份有限公司，在《基于脉冲反向电镀与添加剂协同调控的高深宽比玻璃通孔填孔工艺研究》一文中提出了一种脉冲反向电镀与添加剂协同调控的新型填充工艺。研究团队充分利用脉冲反向电流周期性的“沉积—溶解”自平整作用，并结合加速剂、抑制剂和整平剂在不同区域的选择性吸附特性，实现了铜在通孔中心优先生长、孔口受控抑制，最终形成“蝶形搭桥+自下而上填充”的高质量填充模式。
研究建立了适用于不同孔型和深宽比的工艺设计方法。对于深宽比为4:1的X型玻璃通孔，可利用几何结构优势实现保形生长，并在添加剂体系下仅需30 min即可完成快速搭桥；对于更具挑战性的10:1和15:1高深宽比通孔，则通过优化脉冲参数、多阶段电流控制以及国产添加剂配方，实现了高质量、无空隙铜填充，为更高深宽比TGV制造提供了可靠的工艺方案。
该成果不仅验证了国产电镀药水在先进封装领域的应用潜力，也建立了脉冲参数、添加剂配比与填充形貌之间的协同调控规律，为国产TGV制造工艺提供了重要技术支撑。未来，该技术有望进一步应用于2.5D/3D先进封装、高带宽存储（HBM）、人工智能芯片及高性能计算等领域，为我国先进封装关键工艺自主可控提供新的解决方案。
