4月25日，士兰微发布2025年年报。报告期间，公司实现营业收入130.52亿元，同比增长16.32%；归母净利润达到3.99亿元，同比增长81.27%；扣非归母净利润为3.72亿元，同比增长47.82%。
2025 年，士兰微功率半导体和分立器件产品的营业收入达到 63.79 亿元，较去年增长约17%。其中，公司应用于汽车、光伏的 IGBT 和 SiC（模块、器件）的营业收入达到32.73 亿元，较去年增长约 43%。
基于公司自主研发的 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在国内外多家客户实现批量供货；士兰微用于汽车的 IGBT 器件（单管）也已实现大批量出货，公司用于光伏的IGBT器件（成品）、逆变控制模块、SiC MOS 器件也实现批量出货。同时，士兰微应用于汽车主驱的IGBT和 FRD 芯片已在国内外多家模块封装厂批量销售，并在进一步拓展客户和持续放量过程中。2025年，公司 8 吋线、12 吋线 IGBT 芯片产能已满载。
士兰微已完成 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的技术升级，性能明显提升，应用于新一代的降本模块和高性能模块，已通过客户评测。公司还完成了多个电压平台的 RC-IGBT（逆导型IGBT）产品的研发，该类产品性能指标先进，已开始在汽车主驱、储能、风电、IPM 模块等领域中推广使用。
2025 年，基于士兰微自主研发的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱动模块出货量累计超过 10 万颗，客户端反映良好，客户数量已持续增加。士兰微第Ⅳ代SiC 芯片与模块已通过客户评测，并已开始批量交付。
2025 年，士兰微的Ⅱ代 SiC-MOSFET 已通过国内顶级大厂的严苛认证，应用于AI 算力中心电源上，实现大批量出货，同时配套销售的还有高性能中低压的 MOSFET。
2025 年，士兰微继续推进“士兰明镓 6 英寸 SiC 功率器件芯片生产线”项目的建设。截至目前，士兰明镓已形成月产 10,000 片 6 吋 SiC-MOSFET 芯片的生产能力。公司已经开发了多种规格的SiC芯片，可以满足汽车、新能源、工业、家电等多样性的需求。6 吋 SiC 芯片出货量在四季度快速提升。
2025 年，士兰微加快推进“士兰集宏 8 英寸 SiC 功率器件芯片生产线”项目的建设。四季度已实现 8 吋 SiC 大线通线，已形成月产 5000 片 8 吋 SiC 功率器件芯片的生产能力。
为加快产业上下游企业交流，艾邦建有IGBT产业链交流，欢迎识别二维码加入产业链微信群及通讯录。
长按识别二维码关注公众号，点击下方菜单栏左侧“微信群”，申请加入群聊
