7月2日——英飞凌官网宣布,其基于 300 毫米晶圆的可扩展 GaN 制造技术进展顺利。首批样品将于 2025 年第四季度向客户提供,英飞凌已做好准备,扩大客户群,巩固其作为 GaN 市场领先企业的地位。

英飞凌GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示:“我们全面扩展的300毫米GaN制造能力,同时逐步实现同类硅和GaN产品的成本平价。在英飞凌宣布在300毫米GaN晶圆技术上取得突破近一年后,我们很高兴看到我们的转型进程进展顺利,并且凭借我们强大的IDM战略,业界已经认识到英飞凌GaN技术的重要性。”

凭借其技术领先地位,英飞凌已成为第一家成功开发300毫米GaN功率晶圆技术在其现有的大批量生产基础设施内。与现有的 200 毫米晶圆相比,300 毫米晶圆的芯片生产在技术上更先进,效率也显著提高,因为更大的晶圆直径使每个晶圆的芯片产量增加了 2.3 倍。随着 GaN 功率半导体在工业、汽车、消费电子以及计算和通信应用领域的快速应用,例如人工智能系统的电源、太阳能逆变器、充电器和适配器或电机控制系统,这些增强的功能与英飞凌庞大的 GaN 专家团队和业界最广泛的 IP 产品组合相结合,是不可或缺的。

市场分析师预计,到 2030 年,GaN 的电力应用收入将以每年 36% 的速度增长,达到约 25 亿美元英飞凌拥有专业的制造能力和强大的产品组合,在过去一年中发布了 40 多种新型 GaN 产品,使其成为寻求高质量 GaN 解决方案的客户的首选合作伙伴。

参考来源:英飞凌官微

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20

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