国产半导体装备迎重大进展！山东力冠微电子装备推出12英寸液相法SiC长晶炉

新能源汽车、5G通信等产业的高速发展，推动碳化硅（SiC）衬底需求持续攀升，而大尺寸、高良率晶体生长技术成为全球半导体装备领域的核心竞争方向。
山东力冠微电子装备有限公司继8英寸液相法SiC长晶炉量产后，正加速攻关12英寸液相法SiC长晶设备，依托自主研发的工艺体系，为我国半导体装备国产化进程注入新动能。

技术挑战：液相法需精准控制熔融液成分、温度梯度及籽晶界面稳定性，工艺参数耦合度高，对设备设计和工艺经验要求严苛。

自主可控的技术体系 ：采用特殊坩埚设计与惰性气体保护系统，避免杂质污染，降低杂质残留。其自主研发的全闭环控制生长系统，可实时监控生长速率与重量等相关问题。

山东力冠产品涵盖第一代至第四代半导体材料工艺设备，均拥有自主知识产权，完全自主可控，产品广泛应用于集成电路、功率半导体、化合物半导体、5G芯片、光通信、MEMS等新型电子器件制造领域。
公司可为客户提供“设备制造+工艺技术服务”一体化解决方案。其关键技术打破美日垄断，实现国产化替代，生产工艺稳定性、均匀性达国际领先水平。部分拳头产品国内市占率达95%，并出口韩国、新加坡等国家。

12英寸液相法设备的推出，标志着国产半导体装备在SiC领域实现从进口替代到自主创新的关键跨越。通过技术迭代与产业链协同，山东力冠正推动国产装备向高附加值环节延伸，为第三代半导体产业的规模化应用提供核心装备支撑。