功率半导体器件对硅单晶衬底材料的厚度、晶向、尺寸、电阻率有一定的要求。为了提高器件的耐压，通常要求衬底材料具有较高的电阻率，且材料晶格结构完整无缺陷。由于电子迁移率大于空穴迁移率 (μn＞μp)，衬底材料的导电类型通常采用N型。对IGBT 而言，要求采用<100>晶向的硅单晶材料。在阅读本文前，欢迎识别二维码加入艾邦功率半导体IGBT/SiC产业链交流群。
硅单晶主要以高纯度多晶硅为原料生产制成。按晶体生长方法的不同，硅单晶棒由多晶硅熔融后，经直拉法(Czochralski，CZ)和区熔法 (Floating Zone Melting，FZ)两种方法生长而成。直拉法通常采用水平磁场或垂直磁场等技术，制成磁控直拉单晶 (MCZ)，区熔法则分为水平区熔法和悬浮区熔法。
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| 序号 | 拟定议题 | 拟邀请 |
| 1 | 功率半导体行业的全球化趋势与本土化策略 | 赛米控丹佛斯 |
| 2 | SiC芯片封装技术与新能源汽车系统集成 | 扬杰电子 |
| 3 | 碳化硅（SiC）在电动汽车中的应用与前景 | 翠展微 |
| 4 | 基于不同基材的散热片表面处理解决方案 | 麦德美乐思 |
| 5 | 烧结工艺的自动化与智能化（初拟） | 恒力装备 |
| 6 | 面向未来的功率半导体材料研究 | 拟邀请半导体材料企业 |
| 7 | 第三代半导体材料的研发趋势与挑战 | 拟邀请宽禁带半导体材料供应商 |
| 8 | 功率模块的设计创新及应用 | 拟邀请功率模块封装企业 |
| 9 | 碳化硅单晶生长技术的浅析与展望 | 拟邀请SiC供应商 |
| 10 | 大尺寸晶圆精密研磨抛光技术难点突破 | 拟邀请碳化硅研磨抛光企业 |
| 11 | 国内高端芯片设计与先进制程技术新进展 | 拟邀请芯片技术专家 |
| 12 | 高温SOI技术与宽禁带材料结合的前景 | 拟邀请芯片技术专家 |
| 13 | 功率模块封装过程中的清洗技术 | 拟邀请清洗材料/设备企业 |
| 14 | 高可靠功率半导体封装陶瓷衬板技术 | 拟邀请陶瓷衬板企业 |
| 15 | 高性能塑料封装材料的热稳定性研究 | 拟邀请封装材料企业 |
| 16 | 超声波焊接技术在功率模块封装的应用优势 | 拟邀请超声波焊接企业 |
| 17 | IGBT/SiC封装的散热解决方案与系统设计 | 拟邀请散热基板企业 |
| 18 | 全自动化模块封装测试智能工厂 | 拟邀请自动化企业 |
| 19 | 新一代功率半导体器件的可靠性挑战 | 拟邀请测试技术专家 |
| 20 | 功率半导体器件在高温高压环境下的性能与适应性 | 拟邀请检测设备企业 |
| 21 | 新能源领域对功率器件的挑战及应对解决方案 | 拟邀请光伏功率器件专家 |
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主机厂、汽车零部件、充电桩、光伏逆变器、 风力发电机、 变频家电、光通信、工业控制等终端企业； -
IDM、功率半导体器件、晶圆代工、衬底及外延等产品企业； -
陶瓷衬板(DBC、AMB)、键合丝、散热基板(铜、铝碳化硅AlSiC)、硅凝胶、焊料/焊片、烧结银、散热器、外壳工程塑料(PPS、PBT、高温尼龙）、PIN针、清洗剂等材料企业； -
贴片机/固晶机、清洗设备、超声波焊接、点/灌胶机、垂直固化炉、真空回流焊炉、X-ray、超声波扫描设备、动静态测试机、银烧结设备、测试设备、电镀等设备企业； -
高校、科研院所、行业机构等；
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6月3日前 |
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7月3日前 |
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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：IGBT不同结构对硅单晶衬底的选择
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