5月21日消息,天岳先进在投资者互动平台透露,公司正以全球市场为依托,持续提升碳化硅(SiC)核心产品的产能与产量。目前,济南工厂产能稳步提升,而上海临港工厂已于2024年上半年实现年产30万片8英寸导电型SiC衬底的产能规划。二期8英寸碳化硅衬底扩产计划现已进入实质性建设阶段,公司将分阶段逐步达成规划中的8英寸产能目标,为未来竞争力夯实基础。

根据最新规划,上海临港工厂二期8英寸SiC衬底产能目标为年产60万片。公司将通过分步实施、逐步释放产能的方式,强化自身在大尺寸SiC衬底领域的产业地位。此外,天岳先进在碳化硅衬底产品矩阵方面也进行了前瞻性布局,不仅实现了8英寸导电型衬底的批量量产,更推出了业内首款12英寸碳化硅衬底。与8英寸产品相比,12英寸衬底的单片晶圆芯片产出量提升2.5倍,单位成本大幅降低,带动行业迈向更大尺寸产品的升级潮流。

值得注意的是,天岳先进此前已通过环评公示披露了二期项目的改扩建细节,包括新增设备、优化现有6英寸产线工艺,这一系列举措进一步加快了大尺寸碳化硅衬底的产业化步伐。目前,公司8英寸产品已批量供应国际头部客户,市场份额持续攀升,彰显了其在全球SiC产业链中的影响力和交付能力。

碳化硅衬底作为新能源汽车、光伏储能等新兴领域的关键材料,市场需求持续增长。全球市场正加速从6英寸向8英寸过渡,甚至迈向12英寸。天岳先进凭借领先的技术优势与临港工厂的规模化生产能力,牢牢把握住产业升级和市场扩张的战略机遇,进一步巩固了公司在国际碳化硅领域的领军地位。

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作者 808, ab