青岛华芯晶电科技有限公司(以下简称华芯晶电)近日在氧化镓晶体生长技术领域取得重要进展,经权威机构检测,华芯晶电采用完全自主知识产权导模法生产的2英寸氧化镓单晶质量达到国际先进水平

通过持续优化生长装备性能并严格验证工艺稳定性,华芯晶电成功突破氧化镓导模法生长技术瓶颈。研发团队针对晶体生长过程中的温度梯度控制、杂质元素分布调控及生长速率优化等关键技术环节建立精准控制体系,显著改善了氧化镓易产生孪晶缺陷等行业共性难题。三方检测数据显示,华芯晶电研制的2英寸氧化镓晶体在位错密度控制及摇摆曲线半高宽等核心质量指标上均达到国际先进水平,其中位错密度为5440cm-²,摇摆曲线半高宽为71.33arcsec。

面向产业发展需求,华芯晶电一方面将持续投入研发资源,深化工艺流程、推进大尺寸晶体生长及高质量稳定性提升的技术攻关;另一方面将积极构建产业协同生态,加强与下游薄膜器件企业的联合创新,重点推动氧化镓晶体材料在高性能功率器件、光电探测等战略领域的应用落地,为行业发展贡献更多的力量。

 

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作者 808, ab