全球光储系统（PV-ES）市场近年来高速增长。光储市场竞争加速，提高功率密度成为制胜关键；储能应用如何提升效率，提高功率密度备受关注。英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V以及IGBT7 H7 1200V系列功率半导体器件采用了最新的半导体技术以及贴合行业应用的设计理念。
英飞凌科技高级副总裁，工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉先生表示：
麦田能源董事长朱京成表示：
英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V凭借其高功率密度的优越性能，可将损耗降低50%，在不增加电池尺寸的情况下，额外提供约2%的能量，这对高性能、轻量且紧凑的储能方案尤为有益。麦田能源的H3PRO 15kW~30kW储能机型全系列使用了英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V。得益于英飞凌产品优异的性能，H3PRO机型能取得最高98.1%的效率及优异的电磁兼容性能；麦田能源H3PRO机型也凭借着其优异的性能和可靠性，在全球市场的销量快速上升。
英飞凌的TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 650V/1200V产品系列，具有更低损耗，帮助提高逆变器整体效率和功率密度的优势，尤其在大功率变流器项目上，电流处理能力在100A以上的大电流封装分立器件可以降低IGBT并联数量，替代IGBT模块方案，进一步提高系统可靠性并降低成本；另外，H7系列产品的高品质性能，以及更强的抗宇宙射线能力等特性已经成为行业标杆。目前，麦田能源在工业和商用领域的主力机型R Series 75~110kW，正是使用IGBT7 H7系列分立器件，重新定义了100kW机型的整体设计方案，整机最高效率98.6%；得益于分立封装IGBT7 H7系列的高品质性能，避免了并管过程中均流等技术问题，从而大大提高了运行可靠性。
每个功率器件都需要一个驱动——合适的驱动让设计事半功倍。英飞凌的产品可提供500多种 EiceDRIVER™栅极驱动，典型输出电流从0.1A到18A。并具有全面的保护功能，包括快速短路保护（DESAT），有源米勒钳位，直通短路保护，故障报告，关断，过流保护，适用于包括CoolSiC™和IGBT在内的所有功率器件。
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原文始发于微信公众号（英飞凌工业半导体）：英飞凌为麦田能源提供功率半导体，助力提升储能应用效率
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