破局高功耗芯片散热：玻璃-硅微流控芯片亮相
随着GPU与HBM等AI芯片功率密度的急剧攀升，局部热点功耗密度已突破150-200 W/cm²，传统封装级散热方案愈发捉襟见肘。将微流道冷却结构直接集成于封装基板或芯片内部，成为突破散热瓶颈的关键路径。
云天半导体首次展出的玻璃-硅微流控芯片，正是针对这一痛点开发的创新散热解决方案。该产品采用玻璃与硅的异质集成结构：在硅基微流道转接板上，通过阳极键合工艺与具有空腔的玻璃晶圆实现可靠连接，形成密封的微流道液冷回路。玻璃材料具备优异的耐腐蚀性与抗老化特性，有效降低了长期使用中的失效风险。
此次展会，云天半导体同步展示了其高性能散热材料：金刚石-碳化硅复合材料。该材料热导率高达700~800 W/(m·K)，远优于传统铜材（约400 W/(m·K)）；同时其热膨胀系数（CTE）控制在2.5-3.5 ppm/K区间，与硅芯片（~2.6 ppm/K）高度匹配。这意味着在芯片堆叠结构中，散热层与芯片之间的热失配应力被显著降低，为高集成度、高效率的热输送提供了可靠的材料基础。
玻璃基互连矩阵：TGV、玻璃基板与3D IPD三位一体
除散热方案外，云天半导体系统展示了其在玻璃通孔互连领域的技术纵深。TGV玻璃通孔是这一技术体系的底层支撑，TGV技术被视为替代传统硅通孔（TSV）的重要方向——玻璃衬底的介电常数仅为硅的约1/3，可显著降低高频信号损耗，同时其高热稳定性有效避免了有机基板在大尺寸封装中的翘曲问题。
在此基础上，玻璃基板与玻璃基3D IPD制造技术进一步拓展了玻璃基技术的应用边界。玻璃基板凭借超平整度与低介电损耗，为2.5D/3D先进封装提供了理想的中介层与载板平台；而玻璃基3D IPD相较于传统平面结构，其高频损耗低、Q值高、3D结构面积小、电感密度高，半导体工艺一致性好等特性，在高频射频与高速信号场景中展现出明显优势。
面向AI/HPC的系统级封装“玻璃方案”
从TGV通孔到玻璃基板，从3D无源器件到微流控散热，云天半导体此次展出的四款产品并非孤立的技术点，而是一条清晰的系统级封装技术脉络：玻璃基板为互连与集成提供平台，TGV实现垂直互连，微流控芯片则从封装内部解决散热瓶颈。 这一“散热+互连”双引擎的架构思路，精准回应了AI/HPC封装对高带宽、低损耗、高效散热的复合需求。
关于云天半导体
厦门云天半导体科技有限公司成立于2018年，致力于面向新兴半导体产业的先进封装与微系统集成，具备从6英寸到12英寸全系列晶圆级系统封装与精密制造能力。公司核心的TGV玻璃通孔技术可实现最高深宽比100:1，在射频、光电合封及高性能计算领域构建了具有竞争力的技术壁垒。
