在半导体行业飞速发展的今天，高带宽内存（HBM）和先进封装技术（如 COWOS）正朝着更高性能、更高密度的方向迈进。而玻璃基板，这一曾经不起眼的材料，正逐渐成为推动这些技术突破的关键力量。
HBM 迭代：玻璃基板的 “用武之地”
目前，HBM4 预计 2026 年量产，HBM8 则可能在 2032-2035 年量产。随着 HBM 不断升级，对基板的要求也日益严苛，玻璃基板将在多个方面展现出巨大潜力。
在材料性能上，玻璃基板通过成分优化，能实现低介电常数和低损耗，降低信号延迟与功耗，匹配HBM8 超过 1.5TB/s 的高带宽；同时调整成分配比，减少与硅芯片的热膨胀系数差异，提升可靠性。
工艺方面，超精密穿孔技术可实现小于 10μm 的玻璃通孔，满足高密度互连需求；表面金属化技术通过原子层沉积（ALD）或电镀铜填充TGV，则能确保低电阻和高良率。
结构设计上，玻璃基板支持 3D 异构集成，助力 HBM 与逻辑芯片紧密互连。利用其化学稳定性集成冷却通道，可应对 HBM8 可能突破 10W / 层的功耗散热挑战。
COWOS 技术：玻璃基板的 “创新舞台”
来源: KAIST
COWOS 是台积电开发的先进封装技术，玻璃基板可作为硅中介层的替代或补充方案，发挥重要作用。
相比传统基板，玻璃基板互联密度高，能实现微米级线路；热膨胀系数接近硅，减少热应力问题；平整度和尺寸稳定性优异，适合高精度加工。在 COWOS 中，它可部分替代昂贵的硅中介层，支持多层互联结构以减少信号串扰，还能通过内嵌导热材料优化散热。
当然，玻璃基板在 COWOS 应用中也面临制程工艺、通孔填充及供应链成熟度等挑战。但未来，其有望与硅中介层互补，在 3D 集成等领域大展拳脚，台积电、英特尔等巨头的布局也预示着其广阔前景。
综上，玻璃基板凭借在性能、工艺等方面的优势，正逐渐成为 HBM 和 COWOS 技术发展的重要支撑，虽目前面临一些挑战，但未来潜力无限，或将重塑先进封装生态。
海世高半导体也在积极发力，从技术研发、材料创新、产业链协同到标准化推动，为玻璃基板在HBM 领域的应用添砖加瓦。
