玻璃基板如何实现高密度布线

在完成玻璃通孔的制备后，需要在玻璃基板表面进行布线来实现互联互通的电气连接，相对于有机衬底而言，玻璃表面的粗糙度小，所以在玻璃上可以进行高密度的布线操作。但由于半加成工艺法在线宽小于5μm的时候会面临许多挑战，例如在窄间距内刻蚀种子层容易对铜走线造成损伤且窄间距里的种子层残留易造成漏电，因此针对玻璃基板的表面高密度布线，学界和业界也有不同工艺路线的探索。

1. 线路转移（CTT）和光敏介质嵌入（PTE）

针对在玻璃表面直接进行窄距布线会造成缺陷的问题，刘富汉等人研究开发了线路转移（CTT）和光敏介质嵌入（PTE）。根据《Advances in Embedded Traces for 1.5µm RDL on 2.5D Glass Interposers》，CTT（Copper Trace Transfer，线路转移）主要包括两个过程：

1. 预制RDL线路：首先在可移动载体上单独制造一层薄导电层，通过光刻、电镀和去胶制作出RDL线路，并在转移到基板上之前测试或检查细线成品率。

图 RDL线路预制工艺流程

2. RDL层集成：完成RDL层的制备后，先在玻璃中介层的两面利用钝化胶形成钝化层，随后使用热压合的方式将预制RDL层转移到钝化层上，最后去除载板和导电胶。

图 双面RDL集成工艺流程

PTE（Photo Trench Embedding，光敏介质嵌入）的详细工艺流程包括：1. 首先刻蚀基板下侧铜箔，并使用真空压膜机在基板上侧压合感光膜；2. 随后在光刻图案化后进行种子层沉积，采用物理气相沉积（PVD）分别沉积Ti和Cu作为阻挡层和种子层，接着采用电镀工艺填充沟槽；3. 沟槽填充完后，使用化学腐蚀剂刻蚀掉上表面的铜从而露出线路。

图 PTE工艺流程

2. 多层RDL的2.5D玻璃转接板技术

在多层RDL制备领域，乔治亚理工学院的LU等研究了多层RDL的2.5D玻璃转接板技术，实现了面板级光刻后1.5~5 μm的线条沟槽制备，并提出改进式半加成工艺法（SAP）达到了5 μm以下低成本的线宽制作工艺，即用旋转金刚刀取代昂贵的CMP对层间RDL表面平坦化，进而做到低成本多层RDL堆叠。

其工艺步骤包括：1. 在第一层RDL上进行压膜；2. 通过光刻和溅射制作通孔并暴露出第一层 RDL的铜焊盘，然后进行种子层溅射；3. 随后将高分辨率的光刻薄膜层压在基板，进行曝光显影来显露第二层的RDL图案；4. 随后采用电镀工艺填充通孔形成RDL线路，并用旋转金刚刀进行表面平坦化，去除光刻薄膜并完成种子层刻蚀。

图 TGV金属化后的多层RDL堆叠结果

2.Advances in Embedded Traces for 1.5µm RDL on 2.5D Glass Interposers，Fuhan Liu 等

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