随着半导体技术不断逼近物理极限，先进封装已成为提升芯片性能、降低功耗、提高集成度的关键路径。行业报告显示，玻璃基板封装与硅光子技术正成为两大焦点——前者显著提升封装密度，后者突破传统电传输瓶颈，为下一代数据中心、5G通信与人工智能应用提供核心支撑。
01 AI 驱动半导体市场格局重塑 AI Reshapes Semiconductor Market Landscape
展望2030年，AI应用将成为半导体市场的主导力量，预计相关需求将达7000-8000亿美元，推动全球半导体市场规模逼近万亿美元。
从细分领域看，高性能计算（HPC）预计占据40%份额，汽车电子、移动设备与物联网紧随其后。
在AI技术普及的推动下，半导体行业年均复合增长率（CAGR）预计维持在10%左右，其中2027年AI芯片需求将迎来爆发性增长。
02 封装技术演进：从平面堆叠走向立体集成 From Planar Stacking to 3D Integration
回溯1970年至今的封装发展路径，技术重心已从最初的简单结构，逐步转向2D、3D等立体集成方案。TSMC、Intel、ASE等行业龙头通过inFO、CoWoS、FoCOS、EMIB等创新技术，持续推动封装密度与性能提升。未来，随着节点缩放与混合键合等关键技术成熟，封装技术将进一步向更小尺寸、更高密度的方向演进。
03 台积电3DFabric™：重新定义芯片集成边界 Redefining the Boundaries of Chip Integration
台积电推出的3DFabric™平台确立了前端与后端协同的3D封装路径。前端依托SoIC/CoW与SoIC/MoW实现芯片级高密度集成，后端则结合InFO与CoWoS方案，通过优化布线结构与信号路径，实现功耗降低与性能提升。这一从2D到3D的技术跨越，通过多维芯片堆叠为高性能计算与AI场景提供了新的解决方案。
04 TSMC 3DFabric技术矩阵：多路径满足差异化需求 Multiple Paths to Meet Diverse Needs
面对多样化需求，台积电构建了完整的三维封装解决方案组合：
InFO系列：涵盖InFO PoP、InFO OS与InFO LSI，聚焦封装密度与信号传输效率，适用于移动设备与存储集成；
CoWoS系列：通过CoWoS-S、CoWoS-R与CoWoS-L等变体，实现高互连密度与异构集成，满足高性能计算需求；
SoIC系列：借助SoIC-CoW与SoIC-WoW等前沿技术，实现更高集成度与能效表现。
这一技术矩阵已成为支持5G、AI与高性能计算的重要基础。
05 玻璃基板通孔（TGV）工艺突破 Breakthroughs in Through-Glass-Via (TGV) Process
TGV工艺通过激光预处理、孔道蚀刻、表面改性及金属化等关键步骤，构建高精度电路结构。在表面改性环节，不同供应商提供了多样化解决方案：Atotech采用金属氧化物，Coring使用MnOx，Eternal Materials则应用聚酰亚胺等材料，共同保障了工艺精度与性能优化。
06 基板技术对比：玻璃基板展现性能优势 Glass Substrates Demonstrate Performance Advantages
在先进封装领域，有机基板与玻璃基板呈现出不同的技术特征：
有机基板：基于传统PCB材料，具备成本优势与成熟工艺，适合大规模生产；
玻璃基板：在尺寸稳定性、通孔密度、高频特性与耐温性能方面表现突出，更适合高密度集成与先进电源传输场景。
07 英特尔封装技术布局 Intel's Packaging Technology Portfolio
英特尔形成了覆盖多场景的先进封装组合：FCBGA/FCLGA面向大尺寸封装，EMIB提供高带宽互联，Foveros系列则专注于高密度互连与低阻抗特性。
其中，Foveros Direct通过微缩互连间距提升功率效率，玻璃基板与共封装光学技术则支持更高数据密度与传输速率。
08 光传输技术演进：从可插拔到共封装 From Pluggable to Co-Packaged Optics
光通信技术正经历从传统可插拔模块向共封装光学（CPO）的架构转变：
可插拔光模块：存在传输损耗与功耗挑战；
CPO架构：将光引擎与交换机芯片共同集成，缩短电信号传输距离，显著提升能效与传输性能，为数据中心与高性能计算网络提供新选择。
09 光传输基础：光纤与光波导结构 Optical Fiber and Waveguide Structures
光传输核心依赖两种结构：
光纤：由核心与包层构成，利用全反射原理实现远距离传输；
光波导：采用平面结构，通过折射率与入射角设计优化光路，适用于芯片级光互联场景。
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