芯德半导体2.5D封装新突破！ FOCT-L埋入式硅桥转接板先进封装技术平台

2025年9月，芯德半导体工程团队成功完成FOCT-L(FANOUT Connected Tech-Local Silicon Interconnect)基于埋入式桥接扇出式高性能芯片互联封装工艺的全流程技术验证！这标志着芯德半导体在2.5D/3D先进封装领域取得里程碑式突破，已具备国际领先的本地化硅中介层互联集成能力，正式跻身全球先进封装技术第一梯队，可以为下一代高性能计算芯片提供核心封装支撑。

在算力需求爆炸式增长的今天，摩尔定律的脚步逐渐放缓，而先进封装技术正成为延续芯片性能提升的关键路径。FOCT-L封装作为2.5D/3D先进集成技术皇冠上的明珠，以高密度、高带宽、低功耗为核心优势，是支撑AI训练芯片、高端GPU、HPC处理器及大容量存储芯片的基石。芯德半导体研发团队直面本地硅桥互联、高精度键合、超薄芯片堆叠、信号完整性控制等挑战，成功攻克核心技术壁垒。

研发团队实现多芯片模块内局部区域的高密度直接互连，摒弃传统中介层(Interposer)全局布线模式。通过微米级硅桥(Si-Bridge)在芯片边缘关键区域构建微米级互连通道，互连密度较传统封装提升5倍以上，信号传输距离缩短至毫米级。以本地硅桥(LSI)阵列替代单片硅中介层，实现“化整为零”的模块化设计：单中介层集成2*LSI芯片，支持2500mm²超大封装面积，塑封通孔(TMV)插入损耗＜0.3dB/mm，解决光刻拼接误差难题，为国产超大算力芯片扫除封装障碍。

优势一：相较于全尺寸硅中介层，局部硅桥的硅材料使用面积减少了70%以上，极大地降低了昂贵的硅材成本和中介层制造/加工费用，使得这项尖端技术更具经济性和市场竞争力。

优势二：该结构允许在同一个中介层上灵活布局多个局部硅桥互联，以支持多颗芯片异构集成。设计人员可以像“搭积木”一样，自由组合不同工艺、不同功能的芯片(如CPU、GPU、HBM、IO、SOC等)，实现最佳的系统性能配置。

优势三：实现硅桥互联800nm/800nm超细线宽/间距，芯片键合uBump键合间距36μm，层间对准精度±1μm，满足高性能GPU互连需求，信号延迟降低80%。

优势四：研发团队依托多物理场高精度热—力协同仿真平台优化设计：精准预测产品全生命周期应力分布，指导硅桥形状、底部填充料配方等多维度协同设计，将关键互联点应力降40%以上；还针对硅桥结构研发匹配专属材料，搭配适配厚度，保障产品严苛环境下长期可靠性。

此次2.5D FOCT-L样品成功通线，是芯德半导体技术研发实力的硬核印证，也是中国高端半导体封装领域迈向自主可控新阶段的重要一步。

未来，芯德半导体将持续深耕先进封装领域，进一步深入研究超大颗倒装贴片技术、超大视场技术、超高精度埋入贴片技术、埋入式TSV-露铜技术等核心攻关，推进FOCT-L在GPU以及CPO领域的应用，向3DIC、Chiplet 等更高阶领域突破，携手产业链上下游伙伴，共同为中国半导体产业的自主繁荣注入强劲动力！

江苏芯德半导体科技股份有限公司成立于2020年9月，是一家成长于南京本地致力于中高端封装测试的集成电路企业。目前可为客户提供Bumping、WLCSP、Flip Chip PKG、QFN、BGA、SIP、SIP-LGA、2.5D的封装产品设计和服务。

公司秉持和睦大家庭式的文化，坚持以人为本、科技创新、集体奋斗和职业化管理的企业核心价值观，并以全心全意满足客户的需求为我们最大的追求，依靠持续创新和锲而不舍的艰苦奋斗的精神发展先进的封测核心技术，使芯德半导体成为世界一流的封测企业，服务并推动全球半导体产业的发展。

2023年3月，芯德半导体先进封装技术研究院推出CAPiC平台，重点发展以Chiplet异质集成为核心的封装技术，是先进封装技术发展的又一突破，有望推动异质整合成为未来芯片设计的主流。有关更多信息，请访问我们的官方网站 https://www.jssisemi.cn/